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一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构的制作方法

2021-01-06 18:01:26|544|起点商标网
一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构的制作方法

本实用新型涉及农业覆膜技术领域,具体为一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构。



背景技术:

黑龙江省富裕县地处松嫩平原西北部,属中温带大陆性季风气候,四季明显。年平均气温3.0℃;极端最高气温40.7℃;极端最低气温-38.5℃;年平均降水量440.5mm;全年日照时数2787.1h,无霜期120-135天,作物无霜期短。与其它地区相比,光能资源丰富,热量资源不足,热量匮乏,制约光能资源优势的发挥,补充热量可以大幅度提高我区的气候生产力。

请参阅图2,图2为现有的裸地种植和正常覆盖种植两种方法,裸地种植方法只需要在农田1的上方堆积第二垄堆6即可,在第二垄堆6的上方直接种农作物4,正常覆盖种植方法在农田1的上方堆积第三垄堆7,然后在第三垄堆7的顶部种植农作物4,并在第三垄堆7的外表面覆盖第二地膜8。

裸地种植方法需要再别处进行育苗,然后把幼苗移栽到第二垄堆6上,这种方式虽然保证了农作物4的正常的生长需要,但是工序繁琐,费时费力,在移栽的过程中也存在成活率低下的风险,并且成本较高,推广受到制约;而正常覆盖的种植方法能保证种子在第三垄堆7内发芽所需要的温度和热量,有利于幼苗的正常生长,但是,幼苗生长后,第二地膜8会留在农田1中,造成白色污染,不符合环保的理念,不值得推广。

为了解决现有的两种种植方法的弊端,本实用新型设计了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构。



技术实现要素:

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构,通过在第一垄堆上开设浅沟,并在浅沟中直接育种,然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜,解决了上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构,包括农田,所述农田的上方堆积有第一垄堆,所述第一垄堆的顶部开设有两个种植用的浅沟,两个所述浅沟的内部均种植有农作物,所述第一垄堆的外表面覆盖有第一地膜。

可选的,所述第一垄堆的纵切面为等腰梯形,且所述第一垄堆纵切面底部的两角的度数范围为六十度至七十度之间。

可选的,所述浅沟的纵切面为等腰梯形,且所述浅沟纵切面顶部两角的度数范围为六十度至七十度之间。

可选的,所述浅沟的深度为十厘米。

可选的,所述第一地膜的厚度为0.008mm,所述第一地膜的宽为130cm。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构,具备以下有益效果:

该大垄双行浅沟地膜覆盖结构,通过在第一垄堆上开设浅沟,并在浅沟中直接育种,然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜,第一地膜可以大幅度提高浅沟内部的温度,以及第一垄堆内部的温度,有利于农作物的发芽和生长,在出苗及幼苗生长期增温效果明显,对出全苗及加速发育极为有利,为后期生长发育奠定良好基础,本种植方法,效果相当于育苗移栽,但成本低,可操作性强,易推广,且没有地膜覆盖的白色污染。

附图说明

图1为本实用新型的剖面结构示意图;

图2为现有的裸地种植和正常覆盖种植两种方法的剖面结构示意图;

图3为三种种植方法安装测温传感器后的结构示意图;

图4为监测日期内地上5厘米处的日平均温度数据图;

图5为监测日期内地下5厘米处的日平均温度数据图;

图6为5月6日-5月29日各小时地上5厘米处的平均温度数据图;

图7为5月6日-5月29日各小时地下5厘米处的平均温度数据图;

图8为5月30日-6月12日各小时地上5厘米处的平均度数据图;

图9为5月30日-6月12日各小时地下5厘米处的平均度数据图;

图10为5月6日-6月12日的平均温度数据表格图;

图11为5月6日-5月29日的平均温度数据表格图;

图12为5月30日-6月12日的平均温度数据表格图。

图中:1-农田、2-第一垄堆、3-浅沟、4-农作物、5-第一地膜、6-第二垄堆、7-第三垄堆、8-第二地膜。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

请参阅图1至图12,本实用新型提供一种技术方案:一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构,包括农田1,农田1的上方堆积有第一垄堆2,第一垄堆2的顶部开设有两个种植用的浅沟3,两个浅沟3的内部均种植有农作物4,第一垄堆2的外表面覆盖有第一地膜5,浅沟3使出苗后的幼苗有一定的生长空间,当幼苗生长到一定高度时,机器打孔放风,当空气温度升高到一定温度时,去掉覆盖的第一地,与露地正常生长,这种方法可有效提高积温,加速幼苗的生长速度,提前和拉长发育期,减轻幼苗生长期的低温和风害,并有集雨的作用,提高降水利用率,缓解春旱的状况。

作为本实用新型的一种优选技术方案:第一垄堆2的纵切面为等腰梯形,且第一垄堆2纵切面底部的两角的度数范围为六十度至七十度之间。

作为本实用新型的一种优选技术方案:浅沟3的纵切面为等腰梯形,且浅沟3纵切面顶部两角的度数范围为六十度至七十度之间。

作为本实用新型的一种优选技术方案:浅沟3的深度为十厘米,为刚发芽的幼苗提供了足够的成长空间,保证了刚发芽后的幼苗成长所需要的正常的温度和热量。

作为本实用新型的一种优选技术方案:第一地膜5的厚度为0.008mm,第一地膜5的宽为130cm。

请参阅图3,图3为农田1上三种种植方式的剖面图,且图中a处为设置的温度传感器,分别监测地上5厘米和地下5厘米处的温度变化,本次监测从5月6日覆盖第一地膜5到到6月12日去掉第一地膜5结束,并对此段时间监测的数据做了表格和曲线表格用于对比,数据表格请参阅图4-图12,其中5月6日-5月29日为破膜放风前,5月30日-6月12日为破膜放风后,具体的5月6日开始覆盖地膜,5月30日打孔防风,6月12日去掉地膜,采用对比观测的方法,设三个重复,分别对正常地膜覆盖、裸地、大垄双行浅沟地膜覆盖三种形式的种子萌发部位(地下5厘米)、幼苗生长部位(地上5厘米)设置温度传感器,进行每天24小时温度自动观测。

请参阅图4,裸地和正常覆盖基本相同,5月30日破膜放风前,大垄双行浅沟覆盖比其温度高,以后基本趋同。

请参阅图5,正常覆盖高于大垄双行浅沟覆盖和正常覆盖;5月30日破膜放风前大垄双行浅沟覆盖温度高于裸地,以后基本趋同,双行浅沟覆盖以浅沟底为地平面,地下5厘米要比裸地和正常覆盖深,由此影响了增温效果。

请参阅图6,正常覆盖高于大垄双行浅沟覆盖和正常覆盖;5月30日破膜放风前大垄双行浅沟覆盖温度高于裸地,以后基本趋同,双行浅沟覆盖以浅沟底为地平面,地下5厘米要比裸地和正常覆盖深,由此影响了增温效果。

请参阅图7,在破膜放风前,地下5厘米每小时地温大垄双行浅沟覆盖比裸地高,比正常覆盖低,说明大垄双行浅沟覆盖对地温的提高没有正常覆盖好。

请参阅图8,在破膜放风后,地上5厘米每小时气温裸地和正常覆盖温度基本趋同,大垄双行浅沟覆盖与其相比,夜间16-04时温度高,5-15时低。

请参阅图9,在破膜放风后,地下5厘米每小时温度正常覆盖比大垄双行浅沟覆盖和裸地都高,大垄双行浅沟覆盖在20-06时比裸地略高,其它时间低。

请参阅图10,从5月6日覆盖地膜到到6月12日去掉地膜,地上5厘米平均温度裸地与正常覆盖基本相当,大垄双行浅沟覆盖比其增加3.6℃;地下5厘米平均温度大垄双行浅沟覆盖比裸地高0.5℃,比正常覆盖低3.2℃。也就是说,大垄双行浅沟覆盖对气温的增温效果明显,对地温不明显。

请参阅图11,在破膜放风前,地上5厘米气温大垄双行浅沟覆盖比裸地和正常覆盖高6.1℃,增温效果明显,地下5厘米地温大垄双行浅沟覆盖比裸地地温高2.8℃,比正常覆盖低3.4℃。

请参阅图12,在破膜放风后,地上5厘米气温大垄双行浅沟覆盖比裸地和正常覆盖略低或趋同,地下5厘米地温大垄双行浅沟覆盖比裸地和正常覆盖都低。

总结以上监测数据,得出以下结论:

(1)大垄双行浅沟覆盖在整个覆盖期比裸地地上5厘米温度增加3.7℃,地下5厘米温度增加1.5℃;比正常地膜覆盖地上5厘米温度增加3.6℃,地下5厘米降低3.2℃。

(2)大垄双行浅沟覆盖在种子萌发、出苗及幼苗生长前期(打孔放风前),比裸地地上5厘米温度增加6.1℃,地下5厘米温度增加2.6℃;比正常地膜覆盖地上5厘米温度增加6.1℃,地下5厘米降低2.6℃;大垄双行浅沟覆盖在幼苗生长后期(打孔放风后)地上5厘米温度基本趋同,但夜间温度略高,地下5厘米温度略低。

(3)这种大垄双行浅沟覆盖方式,在出苗及幼苗生长期增温效果明显,对出全苗及加速发育极为有利,为后期生长发育奠定良好基础。

在出苗及幼苗生长期增温效果明显,对出全苗及加速发育极为有利,为后期生长发育奠定良好基础,本种植方法,效果相当于育苗移栽,但成本低,可操作性强,易推广,且没有地膜覆盖的白色污染,可以大力广泛推广。

综上所述,该大垄双行浅沟地膜覆盖结构,使用时,通过在第一垄堆2上开设浅沟3,并在浅沟3中直接育种,然后在第一垄堆2上直接覆盖第一地膜5,第一地膜5可以大幅度提高浅沟3内部的温度,以及第一垄堆2内部的温度,有利于农作物4的发芽和生长,在出苗及幼苗生长期增温效果明显,对出全苗及加速发育极为有利,为后期生长发育奠定良好基础,本种植方法,效果相当于育苗移栽,但成本低,可操作性强,易推广,大垄双行浅沟地膜覆盖方式是兼顾地膜覆盖和育苗移栽优点,屏弃缺点的新型栽培模式,且没有地膜覆盖的白色污染,值得大力广泛推广。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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