量子点-聚合物复合物图案、其制造方法和显示装置与流程

本申请要求于2019年5月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0061519号韩国专利申请的优先权和由此获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。公开了一种量子点-聚合物复合物图案、一种用于制造该量子点-聚合物复合物图案的制造方法和一种包括该量子点-聚合物复合物图案的电子装置。
背景技术：
：量子点可以以量子点-聚合物复合物的形式应用于诸如液晶显示器的各种显示装置。为了应用于各种显示装置，具有改善的性能的量子点-聚合物复合物备受关注并需要对此进行开发。技术实现要素：实施例提供了一种能够呈现改善的性能的量子点-聚合物复合物图案。另一实施例提供了一种制造量子点-聚合物复合物图案的方法。另一实施例提供了一种包括量子点-聚合物复合物图案的显示装置。根据实施例的量子点-聚合物复合物图案包括被构造为发射预定波长的光的至少一个重复部分，其中，量子点-聚合物复合物包括：聚合物基质，包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物；以及多个无镉量子点，分散在聚合物基质中，量子点-聚合物复合物在大约450纳米(nm)波长处具有大于或等于大约85％的光吸收率，并且通过傅里叶变换红外光谱确定，量子点-聚合物复合物具有大于或等于大约2.6的羟基峰相对于丙烯酸酯峰的面积比。重复部分可以包括被构造为发射第一光的第一部分、被构造为发射与第一光不同的第二光的第二部分或者它们的组合。第一光的最大峰值波长可以在大于大约580nm且小于或等于大约680nm的范围内。第二光的最大峰值波长可以在大于大约480nm且小于或等于大约580nm的范围内。线性聚合物可以具有大于或等于大约50mgkoh/g的酸值。线性聚合物可以具有小于或等于大约250mgkoh/g的酸值。线性聚合物可以包括：单体混合物的共聚物，单体混合物包括第一单体、第二单体和可选的(optionally，或“任选的”)第三单体，第一单体包括羧基和碳-碳双键，第二单体具有碳-碳双键和疏水部分且不包括羧基，可选的第三单体具有碳-碳双键和亲水部分且不包括羧基；含多个芳香环的聚合物，具有其中主链中的两个芳香环与另一环部分的季碳原子结合的骨架结构，含多个芳香环的聚合物包括羧基(-cooh)；或者它们的组合。第一单体可以包括羧酸乙烯酯。第二单体可以包括烯基芳香族化合物、r1ococr＝cr2(其中，r1为c1至c10烷基、c1至c10氨基烷基、c6至c30芳基、c7至c30烷基芳基或c3至c30环烷基，并且各个r相同或不同并且均独立地为氢、c1至c10烷基或它们的组合)、马来酰亚胺、具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、乙烯基氰化合物、(甲基)丙烯酰胺或它们的组合。第三单体可以包括(甲基)丙烯酸羟基烷基酯。聚合物基质还可以包括交联聚合物。交联聚合物可以包括硫醇-烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联硅树脂或它们的组合。交联聚合物可以包括烯键式不饱和单体与硫醇化合物的单体组合的聚合产物，烯键式不饱和单体包括(甲基)丙烯酸酯单体、乙烯基单体或它们的组合，硫醇化合物具有至少两个硫醇(-sh)基。聚合物基质可以不包括有机硅氧烷部分。量子点-聚合物复合物可以具有大于或等于大约6微米的厚度。量子点-聚合物复合物可以具有大于或等于大约89％的光吸收率。在量子点-聚合物复合物中，基于量子点-聚合物复合物的总重量，量子点的含量可以大于或等于大约40wt％。在量子点-聚合物复合物中，基于量子点-聚合物复合物的总重量，量子点的含量可以大于或等于大约43wt％。在量子点-聚合物复合物的傅里叶变换红外光谱中，羟基峰相对于丙烯酸酯峰的面积比可以大于或等于大约3.0，例如，大于或等于大约3.4或者大于或等于大约3.5。在傅里叶变换红外光谱中，量子点-聚合物复合物可以具有大于或等于大约10的羟基峰相对于芳基峰的面积比。芳基峰可以指可以指定芳香族c＝c伸缩的芳香族峰。在傅里叶变换红外光谱中，量子点-聚合物复合物可以具有大于或等于大约12的羟基峰相对于芳基峰的面积比。量子点-聚合物复合物可以具有大于或等于大约33％的发光效率。量子点-聚合物复合物可以具有小于大约6％的深阱贡献发射(deeptrapcontributionemission)，其中，深阱贡献发射通过发射光谱中深阱发射峰相对于带边发射峰(例如，最大发射峰)的面积比获得。量子点-聚合物复合物可以具有小于或等于大约5％的深阱贡献发射。量子点-聚合物复合物可以具有小于或等于大约4％的深阱贡献发射。量子点-聚合物复合物可以具有小于或等于大约0.1的深阱发光效率相对于量子产率(qy)的比率。量子点-聚合物复合物还可以包括分散在聚合物基质中的金属氧化物细颗粒。基于量子点-聚合物复合物的总重量，量子点-聚合物复合物可以包括大于或等于大约40％且小于或等于大约60％的量子点、大于或等于大约4％且小于或等于大约15％的金属氧化物细颗粒和余量的聚合物基质。另一实施例提供了一种制造前述量子点-聚合物复合物图案的方法，该方法包括：获得包括线性聚合物、多个无镉量子点、烯键式不饱和单体和硫醇化合物以及可选的(光)引发剂和金属氧化物细颗粒中的至少一种的组合物的膜，线性聚合物包括含羧基的重复单元，硫醇化合物具有至少两个硫醇(-sh)基；在具有预定图案的掩模下将膜暴露于波长小于或等于大约420nm的光；将暴露于光的膜与碱显影液接触以溶解并去除膜的未曝光部分，以获得图案；在大于或等于大约180℃的温度下热处理图案大于或等于大约10分钟；以及将热处理后的图案置于大于或等于大约65％的相对湿度下和大于或等于大约65℃的温度下大于或等于大约10分钟且小于或等于大约1小时的时间段。可以将热处理后的图案置于大于或等于大约75℃和大于或等于大约75％的相对湿度的条件下。在另一实施例中，显示装置包括光源和(光致)发光元件，其中，(光致)发光元件包括前述量子点-聚合物复合物图案，重复部分包括被构造为发射第一光的第一部分和被构造为发射与第一光不同的第二光的第二部分，并且光源被构造为向(光致)发光元件提供入射光。入射光可以具有在大约440nm至大约460nm的范围内的峰值波长。光源可以包括分别对应于第一部分和第二部分的多个发光单元，并且发光单元可以包括彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的电致发光层。显示装置还可以包括下基底、设置在下基底下方的偏振器以及设置在量子点-聚合物复合物图案与下基底之间的液晶层。显示装置可以被构造为基于bt2020具有大于或等于大约80％的颜色再现性。通过根据实施例的方法获得的量子点-聚合物复合物图案可以呈现出改善的量子效率。这种量子点-聚合物复合物图案可以有助于显示装置的质量改善。附图说明图1是示出根据实施例的制造量子点-聚合物复合物图案的方法的示意图。图2a和图2b是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。图3是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。图4示出了示例1中制造的量子点-聚合物复合物图案的量子点分散溶液、pob后的量子点-聚合物复合物图案和ht处理后的量子点-聚合物复合物图案中的每者在77k下的阱发射。具体实施方式参照以下示例实施例以及所附附图，所公开的量子点-聚合物复合物图案的优点和特性以及用于实现本公开的优点和特性的方法将变得明显。现在，将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述发明。然而，发明可以以许多不同的形式来实施，而不应该被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。如果没有另外定义，则说明书中的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以如本领域技术人员通常理解的那样定义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域和本公开的语境中它们的含义一致的含义，而将不以理想的或过于形式化的含义来解释这些术语，除非这里明确地如此定义。在此使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一种(者/个)”和“所述(该)”意图包括包含“至少一种(者/个)”的复数形式。“至少一种(者/个)”不应被解释为限定为“一”或“一种(者/个)”。“或”表示“和/或”。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。还将理解的是，术语“包含”和/或“包括”或者它们的变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“大约(约)”或“大致”包括所述的值，并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±10％或±5％内。如在此使用的，当未另外提供定义时，“取代的”指化合物、基团或部分的氢被取代基替换，取代基选自于c1至c30烷基、c1至c30烯基、c2至c30炔基、c2至c30环氧基、c6至c30芳基、c7至c30烷基芳基、c1至c30烷氧基、c1至c30杂烷基、c3至c30杂烷基芳基、c3至c30环烷基、c3至c15环烯基、c6至c30环炔基、c2至c30杂环烷基、卤素(-f、-cl、-br或-i)、羟基(-oh)、硝基(-no2)、氰基(-cn)、氨基(-nrr'，其中，r和r'均独立地为氢或c1至c6烷基)、叠氮基(-n3)、脒基(-c(＝nh)nh2)、肼基(-nhnh2)、腙基(＝n(nh2))、醛基(-c(＝o)h)、氨甲酰基(-c(o)nh2)、硫醇基(-sh)、酯基(-c(＝o)or，其中，r是c1至c6烷基或c6至c12芳基)、羧基(-cooh)或其盐(-c(＝o)om，其中，m是有机阳离子或无机阳离子)、磺酸基(-so3h)或其盐(-so3m，其中，m是有机阳离子或无机阳离子)、磷酸基(-po3h2)或其盐(-po3mh或-po3m2，其中，m是有机阳离子或无机阳离子)和它们的组合。在此，“单价有机官能团”指c1至c30烷基、c2至c30烯基、c2至c30炔基、c6至c30芳基、c7至c30烷基芳基、c1至c30烷氧基、c1至c30杂烷基、c3至c30杂烷基芳基、c3至c30环烷基、c3至c15环烯基、c6至c30环炔基或c2至c30杂环烷基。如在此使用的，当未另外提供定义时，术语“杂”指包括从n、o、s、si和p中选择的至少一种(例如1种至3种)。如在此使用的，当未另外提供定义时，“亚烷基”指化合价至少为二且可选地取代有至少一个取代基的直链或支链饱和脂肪族烃基。如在此使用的，当未另外提供定义时，“亚芳基”指通过除去至少一个芳香环中的至少两个氢获得的化合价至少为二且可选地取代有至少一个取代基的官能团。如在此使用的，当未另外提供定义时，“脂肪族有机基团”指c1至c30直链或支链烃基(例如c1至c30烷基、c2至c30烯基、c2至c30炔基)，“芳香族有机基团”指c6至c30芳基或c2至c30杂芳基，并且“脂环族有机基团”指c3至c30环烷基、c3至c30环烯基或c3至c30环炔基。如在此使用的，当未另外提供定义时，“(甲基)丙烯酸酯”指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯。如在此使用的，发光效率指接收蓝光(例如，来自具有大约450nm的中心波长的blu)并将其转换成具有不同波长的光的程度。如在此使用的，光吸收率是量子点吸收蓝光的程度。通过对激发光的pl光谱进行积分获得激发光的总光量(b)，且获得穿过量子点复合膜的激发光的光量(b')。通过下式获得光吸收率：(b-b')/b×100％＝光吸收率(％)。如在此使用的，“族”指周期表的族。如在此使用的，“ii族”指iia族和iib族，ii族金属的示例可以是cd、zn、hg和mg，但不限于此。如在此使用的，“iii族”指iiia族和iiib族，iii族金属的示例可以是al、in、ga和tl，但不限于此。如在此使用的，“iv族”指iva族和ivb族，iv族金属的示例可以是si、ge和sn，但不限于此。如在此使用的，术语“金属”可以包括诸如si的半金属。如在此使用的，“i族”指ia族和ib族，并且示例可以包括li、na、k、rb和cs，但不限于此。如在此使用的，“v族”指va族，并且示例可以包括氮、磷、砷、锑和铋，但不限于此。如在此使用的，“vi族”指via族，并且示例可以包括硫、硒和碲，但不限于此。液晶显示器(下文中，称为lcd)通过将光穿过液晶之后穿过吸收型滤色器进行偏振来实现颜色。由于吸收型滤色器，lcd具有窄视角和低透光率的问题。吸收型滤色器可以用包括量子点的光致发光型滤色器代替，以实现更宽的视角和改善的亮度。如果胶体合成量子点，则可以控制量子点的平均颗粒尺寸，并且还可以具有相对均匀的平均颗粒尺寸分布。如果量子点具有小于或等于大约10nm的平均颗粒尺寸，则其中带隙随着平均颗粒尺寸减小而增加的量子限制效应变得更加显著，并且能量密度提高。量子点具有100％的理论量子效率(qy或qe)并且可以发射具有高色纯度(例如，小于或等于大约40nm的半峰全宽(fwhm))的光，量子点可以增强发光效率并且改善颜色再现性。量子点可以分散在主体基质(例如，包括聚合物和/或无机材料)中以形成复合物并应用于装置(例如显示装置)。包括量子点-聚合物复合物的滤色器被期望制造具有高亮度、宽视角和高颜色再现性的显示器。然而，与传统吸收型滤色器不同，对量子点-聚合物复合物的图案化具有各种技术限制。例如，当通过将具有相对高效率的量子点分散在能够进行光刻的主体基质中来形成图案时，可能发生量子点发光效率的显著降低。在不受任何特定理论的束缚的情况下，在将量子点与光致抗蚀剂混合并曝光/显影之后的高温热处理工艺步骤中，可能会在量子点的表面上基本形成多个缺陷。所形成的缺陷可能会在用于光发射的能级中引起许多阱能级，因此与来自量子点分散体的期望值相比，所形成的缺陷可能会表现出使使用光刻的量子点-聚合物复合物图案的发光效率大大降低。因此，包括该量子点-聚合物复合物图案的发光装置可能无法容易地实现预期和期望的发光特性。根据实施例的量子点-聚合物复合物图案可以通过使用额外的后处理工艺(稍后描述的工艺方法)呈现出与传统技术的量子点-聚合物复合物图案不同的化学分析结果，并且因此可以呈现出改善的发光效率和光转换效率。根据实施例的量子点-聚合物复合物图案包括被构造为发射预定波长的光的至少一个重复部分。量子点-聚合物复合物设置在重复部分(r、g和b)中的至少一个中以构成量子点-聚合物复合物图案。重复部分可以包括被构造为发射第一光的第一部分。重复部分还可以包括：第二部分，被构造为发射与第一光不同的第二光；第三部分，发射与第一光和第二光不同的第三光并且/或者使与第一光和第二光不同的第三光穿过；或者第二部分和第三部分两者。在实施例中，第一光的最大峰值波长可以在大约580nm至大约680nm的红光波长(例如，大约600nm至大约650nm的红光波长)的范围内。第一部分可以是发射红光的r部分，但不限于此。第二光的最大峰值波长可以在大约480nm至大约580nm(例如，大约500nm至大约560nm的绿光波长)的范围内。第二部分可以是发射绿光的g部分，但不限于此。第三光的最大峰值波长可以在大约380nm至大约480nm(例如，大约450nm至大约470nm的蓝光波长)的范围内。第三部分可以发射或透射蓝光，或者发射并透射蓝光，但不限于此。第三部分可以不包括量子点。黑色矩阵(bm)可以设置在重复部分之间。量子点-聚合物复合物包括聚合物基质和分散在聚合物基质中的多个无镉量子点，聚合物基质包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物。图案可以处于膜的形式。量子点-聚合物复合物(或其图案)对大约450nm波长的光可以具有大于或等于大约85％的光吸收率，并且如通过傅里叶变换红外光谱确定的，量子点-聚合物复合物(或其图案)可以具有大于或等于大约2.6的羟基峰相对于丙烯酸酯峰(例如，归属于丙烯酸酯基团的峰)的面积比。量子点-聚合物复合物图案可以设置在基底上。基底可以是包括绝缘材料的基底(例如，绝缘透明基底)。基底可以包括：玻璃；各种聚合物，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)的聚酯、聚碳酸酯和聚丙烯酸酯；聚硅氧烷(例如pdms)；无机材料，诸如al2o3或zno；或者它们的组合，但不限于此。在此，“透明”指对于预定波长的光(例如，从量子点发射的光)的透射率大于或等于大约85％，例如，大于或等于大约88％、大于或等于大约90％、大于或等于大约95％、大于或等于大约97％或者大于或等于大约99％。预定波长可以具有在大约380nm至大约780nm内确定的范围。可以通过考虑从每个部分发射的光来确定预定波长的范围。可以考虑基底材料等适当地选择基底的厚度，但基底的厚度不特别限制。透明基底可以具有柔性。设置在基底上的量子点-聚合物复合物图案可以形成堆叠结构。聚合物基质包括具有含羧基的重复单元的线性聚合物。含羧基的重复单元可以衍生自包括羧基和碳-碳双键的单体、具有二酐部分的单体或它们的组合。具有含羧基的重复单元的线性聚合物(在下文中，也称为羧酸聚合物)可以包括：单体混合物的共聚物，单体混合物包括第一单体、第二单体和可选的第三单体，第一单体包括羧基和碳-碳双键，第二单体具有碳-碳双键和疏水部分且不包括羧基，第三单体具有碳-碳双键和亲水部分且不包括羧基；含多个芳香环的聚合物，具有其中主链中的两个芳香环与另一环部分的季碳原子结合的骨架结构，含多个芳香环的聚合物包括羧基(-cooh)；或者它们的组合。在共聚物中，第一单体的示例可以包括丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、衣康酸、富马酸、3-丁烯酸、羧酸乙烯酯化合物(诸如乙酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯)等，但不限于此。第一单体可以是一种或更多种不同的化合物。第二单体的示例可以是：烯基芳香族化合物，诸如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基苄基甲基醚等；由r1ococr＝cr2表示的化合物(其中，r1为c1至c10烷基、c1至c10氨基烷基、c6至c30芳基、c7至c30烷基芳基或c3至c30环烷基，并且各个r相同或不同且均独立地为氢、c1至c10烷基或它们的组合)，例如，(甲基)丙烯酸烷基酯(诸如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯等)、(甲基)丙烯酸烷基芳基酯(诸如丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯等)、(甲基)丙烯酸环烷基酯(诸如丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸环己酯、丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苯酯等)、不饱和(甲基)丙烯酸氨基烷基酯化合物(诸如丙烯酸2-氨基乙酯、甲基丙烯酸2-氨基乙酯、(甲基)丙烯酸2-二甲基氨基乙酯等)；马来酰亚胺，诸如n-苯基马来酰亚胺、n-苄基马来酰亚胺、n-烷基马来酰亚胺等；不饱和羧酸缩水甘油酯化合物，诸如丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等；乙烯基氰化合物，诸如丙烯腈、甲基丙烯腈等；不饱和酰胺化合物，诸如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等，但不限于此。第二单体可以是一种或更多种化合物。第三单体的示例可以包括(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，诸如丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丁酯和甲基丙烯酸2-羟基丁酯，但不限于此。第三单体可以是一种或更多种化合物。共聚物可以包括衍生自第一单体的第一重复单元、衍生自第二单体的第二重复单元和可选的衍生自第三单体的第三重复单元。在共聚物中，第一重复单元的含量可以大于或等于大约5摩尔百分数(mol％)，例如大于或等于大约10mol％、大于或等于大约15mol％、大于或等于大约25mol％或者大于或等于大约35mol％。在共聚物中，第一重复单元的含量可以小于或等于大约95mol％，例如小于或等于大约90mol％、小于或等于大约89mol％、小于或等于大约80mol％、小于或等于大约70mol％、小于或等于大约60mol％、小于或等于大约50mol％、小于或等于大约40mol％、小于或等于大约35mol％或者小于或等于大约25mol％。在共聚物中，第二重复单元的含量可以大于或等于大约5mol％，例如大于或等于大约10mol％、大于或等于大约15mol％、大于或等于大约25mol％或者大于或等于大约35mol％。在共聚物中，第二重复单元的含量可以小于或等于大约95mol％，例如小于或等于大约90mol％、小于或等于大约89mol％、小于或等于大约80mol％、小于或等于大约70mol％、小于或等于大约60mol％、小于或等于大约50mol％、小于或等于大约40mol％、小于或等于大约35mol％或者小于或等于大约25mol％。在共聚物中，如果存在，则第三重复单元的含量可以大于或等于大约1mol％，例如大于或等于大约5mol％、大于或等于大约10mol％或者大于或等于大约15mol％。在共聚物中，第三重复单元的含量可以小于或等于大约20mol％，例如小于或等于大约15mol％或者小于或等于大约10mol％。共聚物可以是(甲基)丙烯酸与从(甲基)丙烯酸芳基烷基酯、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯和苯乙烯中选择的至少一种第二单体/第三单体的共聚物。例如，共聚物可以包括(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸苄酯共聚物、(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸苄酯/苯乙烯共聚物、(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯共聚物或(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸苄酯/苯乙烯/(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯共聚物。羧酸聚合物可以包括含多个芳香环的聚合物。含多个芳香环的聚合物具有其中主链中的两个芳香环与另一环部分的季碳原子结合的骨架结构和(例如，结合到主链的)羧基(-cooh)。含多个芳香环的聚合物可以是双酚芴环氧丙烯酸酯的酸加成产物。例如，双酚芴环氧丙烯酸酯的酸加成产物可以通过以下方式获得：将4,4’-(9-亚芴基)-二苯酚与环氧氯丙烷反应以获得具有芴部分的环氧化合物，将该环氧化合物与丙烯酸反应以获得具有羟基的芴基环氧丙烯酸酯，并且再将其与联苯二酐和/或邻苯二甲酸酐反应。这种含多个芳香环的聚合物(也作为cardo树脂已知)是可市购的。羧酸聚合物可以具有大于或等于大约50毫克koh每克(mgkoh/g)的酸值。例如，羧酸聚合物可以具有大于或等于大约60mgkoh/g、大于或等于大约70mgkoh/g、大于或等于大约80mgkoh/g、大于或等于大约90mgkoh/g、大于或等于大约100mgkoh/g、大于或等于大约110mgkoh/g或者大于或等于大约120mgkoh/g的酸值。羧酸聚合物可以具有小于或等于大约250mgkoh/g的酸值，例如，羧酸聚合物可以具有小于或等于大约200mgkoh/g的酸值，例如小于或等于大约190mgkoh/g、小于或等于大约180mgkoh/g或者小于或等于大约160mgkoh/g的酸值。羧酸聚合物可以具有大于或等于大约80mgkoh/g且小于或等于大约180mgkoh/g(或大约200mgkoh/g)的酸值。聚合物基质还可以包括交联聚合物。交联聚合物可以是通过光交联的聚合物。交联聚合物可以包括硫醇-烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联硅树脂或它们的组合。交联聚合物可以是共聚物。交联聚合物可以是可光聚合化合物(例如单体或低聚物)的聚合产物，可光聚合化合物具有一个或更多个(例如两个、三个、四个、五个、六个或更多个)可光聚合官能团(例如，碳-碳双键(诸如(甲基)丙烯酸酯基团或乙烯基)、环氧基等)。可光聚合化合物可以是光敏树脂组合物中常用的可光聚合的单体或低聚物。交联聚合物可以包括包含烯键式不饱和单体和硫醇化合物的单体组合的聚合产物，烯键式不饱和单体包括(甲基)丙烯酸酯单体、乙烯基单体或它们的组合，硫醇化合物具有至少两个硫醇(-sh)基。在实施例中，可光聚合化合物可以包括：烯键式不饱和单体，诸如丙烯酸酯单体或乙烯基单体；反应性低聚物(例如乙烯低聚物、环氧烷低聚物等)，具有两个或更多个可光聚合部分(例如环氧基、乙烯基等)；反应性低聚物和烯键式不饱和单体的共聚物；聚氨酯低聚物，具有两个或更多个可光聚合部分(例如丙烯酸酯部分)；硅氧烷低聚物，具有两个或更多个可光聚合部分；或者它们的组合。可光聚合化合物还可以包括在两个末端处具有至少两个硫醇基的硫醇化合物。可光聚合化合物可以是可市购的，或者可以通过已知的方法合成。交联聚合物可以是包括可光聚合化合物的混合物的聚合产物。(甲基)丙烯酸酯单体可以包括具有至少一个碳-碳双键的(甲基)丙烯酸的单官能酯或多官能酯。(甲基)丙烯酸酯单体可以包括二(甲基)丙烯酸酯化合物、三(甲基)丙烯酸酯化合物、四(甲基)丙烯酸酯化合物、五(甲基)丙烯酸酯化合物、六(甲基)丙烯酸酯化合物或它们的组合。(甲基)丙烯酸酯单体的示例可以是(甲基)丙烯酸c1至c30烷基酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚a环氧(甲基)丙烯酸酯、双酚a二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、酚醛环氧(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲醚(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酰氧基乙基磷酸酯或丙二醇二(甲基)丙烯酸酯，但不局限于此。硫醇化合物可以是二硫醇化合物、三硫醇化合物、四硫醇化合物或它们的组合。例如，硫醇化合物可以是二醇二-3-巯基丙酸酯、二醇二巯基乙酸酯、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(2-巯基乙酸酯)、1,6-己二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,2-乙二硫醇、包括1个至10个乙二醇重复单元的聚乙二醇二硫醇或它们的组合。硫醇化合物和烯键式不饱和单体之间的反应可以形成硫醇-烯树脂。聚合物基质可以不包括有机硅氧烷或其部分。有机硅氧烷或其部分可以具有由以下化学式表示的单元：-[(r)2sio]n-。其中，r是氢、c1至c30烷氧基、取代或未取代的c1至c30(芳香族、脂肪族或脂环族)烃基或者它们的组合，并且n涉及表示有机硅氧烷的分子量的数字(例如，大于或等于大约1且小于或等于大约100)并且没有特别限制。在此，在上述化学式中，至少一个r可以是c1至c30(芳香族、脂肪族或脂环族)烃基。(例如，分散)设置在聚合物基质中的量子点(在下文中，也称为半导体纳米晶体)可以不包括镉。无镉量子点可以通过已知方法合成并且/或者是可市购的。量子点(在下文中，也称为半导体纳米晶体)可以包括ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素或化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iii-vi族化合物、i-ii-iv-vi族化合物或它们的组合。ii-vi族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和它们的混合物；三元素化合物，选自于znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和它们的混合物；以及四元素化合物，选自于hgzntes、hgznses、hgznsete、hgznste和它们的混合物。ii-vi族化合物还可以包括iii族金属。iii-v族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb和它们的混合物；三元素化合物，选自于ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb和它们的混合物；以及四元素化合物，选自于gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和它们的混合物。iii-v族化合物还可以包括ii族金属(例如，inznp)。iv-vi族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和它们的混合物；三元素化合物，选自于snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和它们的混合物；以及四元素化合物，选自于snpbsse、snpbsete、snpbste和它们的混合物。i-iii-vi族化合物的示例可以包括cuinse2、cuins2、cuingase和cuingas，但不限于此。ii-iii-vi族化合物可以选自于zngas、znals、znins、zngase、znalse、zninse、zngate、znalte、zninte、zngao、znalo、znino、hggas、hgals、hgins、hggase、hgalse、hginse、hggate、hgalte、hginte、mggas、mgals、mgins、mggase、mgalse、mginse或它们的组合，但不限于此。i-ii-iv-vi族化合物可以包括cuznsnse和cuznsns，但不限于此。iv族元素或化合物可以选自于：单一元素，选自于si、ge和它们的混合物；以及二元素化合物，选自于sic、sige和它们的混合物。二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物分别以均匀浓度存在于半导体纳米晶体颗粒中或以部分不同浓度存在于同一颗粒中。半导体纳米晶体可以具有核/壳结构，在核/壳结构中第一半导体纳米晶体围绕另一第二半导体纳米晶体。核和壳可以具有界面，并且核和/或壳中的至少一个的元素在界面中可以具有浓度梯度，在该浓度梯度中元素的浓度从壳朝向核减小。此外，半导体纳米晶体可以具有一个半导体纳米晶体的核和围绕核的多壳。在实施例中，壳可以是具有两层或更多层(例如，2层、3层、4层、5层或更多层)的多层壳。壳的每一层可以具有彼此相同的成分或彼此不同的成分。相邻层可以具有彼此不同的成分。每一层的材料可以包括单一成分或者两种或更多种材料的组合(例如，合金)。每一层的材料之中的至少一种元素可以具有沿着径向方向改变的浓度。例如，至少一个层可以具有两种或更多种材料的组合的浓度梯度。例如，至少一个层可以包括梯度合金。包括两种或更多种材料的组合(诸如合金)的层可以具有均匀成分(例如，均匀合金)。具有两种或更多种材料的组合的浓度梯度(例如，包括梯度合金)的层可以具有均匀的合金成分，并且该成分可以沿着径向方向改变。在量子点中，壳材料和核材料可以具有不同的能带隙。例如，壳材料的能带隙可以大于核材料的能带隙。在另一实施例中，壳材料的能带隙可以小于核材料的能带隙。如果量子点具有多层壳，则外层的能带隙可以大于靠近核的层的能带隙。在多层壳中，外层的能带隙可以小于靠近核的层的能带隙。在实施例中，量子点可以具有包括iii-v族化合物的核和包括ii-v族化合物的壳。核可以包括inp、inpas、inas、gap、gaas、ingap、ingaas、ingapas或它们的组合。壳可以包括锌、硒和可选的硫。量子点可以通过调节量子点的(例如元素)成分和/或(例如，平均)颗粒尺寸来控制吸收/发射波长。量子点的最大发射峰值波长可以在前述红光区域的波长范围内、前述绿光区域的波长范围内或前述蓝光区域的波长范围内。量子点可以具有大于或等于大约10％，例如大于或等于大约30％、大于或等于大约50％、大于或等于大约60％、大于或等于大约70％、大于或等于大约90％或者甚至大约100％的量子效率。量子点可以具有例如小于或等于大约50nm，例如小于或等于大约45nm、小于或等于大约40nm或者小于或等于大约30nm的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)。量子点可以具有大于或等于大约1nm且小于或等于大约100nm的颗粒尺寸(例如，直径或穿过颗粒的最大线性长度)(例如，平均颗粒尺寸)。量子点可以具有大约1nm至大约50nm的颗粒尺寸(或平均颗粒尺寸)。量子点的(平均)颗粒尺寸可以例如大于或等于大约2nm、大于或等于大约3nm、大于或等于大约4nm、大于或等于大约5nm、大于或等于大约6nm、大于或等于大约7nm、大于或等于大约8nm或者大于或等于大约9nm。量子点的(平均)颗粒尺寸可以小于或等于大约50nm、小于或等于大约40nm、小于或等于大约30nm、小于或等于大约20nm或者小于或等于大约15nm。量子点的形状没有特别限制。例如，量子点的形状可以是球体、椭球体、多面体、棱锥体、多脚体、正方体、长方体、纳米管、纳米棒、纳米线、纳米片或它们的组合，但不限于此。在合成工艺期间，量子点可以在表面上具有配位的有机溶剂或有机配体。有机溶剂和有机配体的具体类型是已知的。有机配体可以结合到量子点的表面。有机配体可以包括rcooh、rnh2、r2nh、r3n、rsh、r3po、r3p、roh、rcoor'、rpo(oh)2、r2pooh(其中，r和r'均独立地为c1至c40(c3-c24)取代或未取代的脂肪族烃基团(诸如c1至c40烷基或烯基)、c6至c40(或c20)取代或未取代的芳香族烃基团(诸如c6至c20芳基))或它们的组合。量子点-聚合物复合物(或其图案)可以具有大于或等于大约6微米(μm)，例如大于或等于大约7μm或者大于或等于大约8μm的厚度。量子点-聚合物复合物(或其图案)可以具有小于或等于大约12μm，例如小于或等于大约10μm的厚度。量子点-聚合物复合物对于激发光(例如蓝光)可以具有大于或等于大约85％，例如大于或等于大约86％、大于或等于大约87％、大于或等于大约88％或者大于或等于大约89％的光吸收率。在量子点-聚合物复合物中，基于复合物的总重量，量子点的含量可以大于或等于大约20wt％，可以大于或等于大约30wt％、大于或等于大约40wt％、大于或等于大约41wt％、大于或等于大约42wt％或者大于或等于大约43wt％。基于复合物的总重量，量子点的含量可以小于或等于大约80wt％，例如小于或等于大约75wt％、小于或等于大约70wt％、小于或等于大约69wt％、小于或等于大约68wt％、小于或等于大约67wt％、小于或等于大约66wt％、小于或等于大约65wt％、小于或等于大约64wt％、小于或等于大约63wt％、小于或等于大约62wt％、小于或等于大约61wt％或者小于或等于大约60wt％。在量子点-聚合物复合物中，量子点的含量可以大于或等于大约40wt％且小于或等于大约68wt％(或60wt％)。实施例的量子点-聚合物复合物图案当根据稍后描述的制造方法对其进行制造时可以呈现出改善的性能，同时可以呈现出改变的化学成分。因此，量子点-聚合物复合物可以在傅里叶变换红外光谱中示出羟基峰(例如，在大致3500nm的波数处)(例如，也称为第一峰)相对于丙烯酸酯峰(例如，在大致1650nm的波数处)(也称为第二峰)的比率(面积比)，该比率(面积比)大于或等于大约2.6、大于或等于大约2.7、大于或等于大约2.8、大于或等于大约2.9、大于或等于大约3.0、大于或等于大约3.1、大于或等于大约3.2、大于或等于大约3.3、大于或等于大约3.4、大于或等于大约3.5或者大于或等于大约3.6。在根据实施例的图案中，量子点-聚合物复合物可以在傅里叶变换红外光谱中具有大于或等于大约10，例如大于或等于大约11、大于或等于大约11.5、大于或等于大约12或者大于或等于大约12.1的羟基峰(在下文中，也称为第二峰)相对于芳基峰(例如，在大致1400nm的波数处)(在下文中，也称为第三峰)的面积比。用于傅里叶变换红外光谱的设备例如可以从agilaent公司(agilaentco.ltd.)或bruker公司(brukerco.,ltd.)商购获得。从所获得的ftir光谱中，可以例如通过使用适当的分析工具(例如，诸如瓦里安分析软件(varianresolutionspro)的市售软件包)容易地获得面积比。在实施例中，可以通过以下方式来计算峰面积：将某个峰(例如，丙烯酸酯部分的c＝o)设定为内部参考，并针对每个样品将伸缩带面积(例如，对于芳香族基团)进行归一化。发明人发现，在通过稍后描述的制造方法制造的图案中，可以确认红外光谱中的上述峰之间的面积比。通过稍后描述的制造方法制造的量子点-聚合物复合物图案可以呈现出改善的发光性能(例如，改善的亮度)。例如，实施例的量子点-聚合物复合物图案可以具有大于或等于大约33％、大于或等于大约34％或者大于或等于大约35％的发光效率。基于光刻的量子点-聚合物复合物图案的制造工艺之中的一些工艺(例如，与光致抗蚀剂混合以及在曝光/显影之后在高温下热处理)可能会在量子点表面上引起各种缺陷。这些缺陷可能会在量子点发光能级处形成深阱，因而量子点的发光效率可能会显著低于其在溶液(分散)状态下的发光效率。在不受任何理论的束缚的情况下，在高温下处理之后，将实施例的量子点-聚合物复合物图案在高湿度(例如，大于或等于大约65％、大于或等于大约70％或者大于或等于大约75％的相对湿度)和相对高的温度(例如，大于或等于大约65℃、大于或等于大约70℃或者大于或等于大约75℃)的条件下放置预定时间(例如小于或等于大约1小时)，并且在该后处理期间，可以使量子点的表面上的缺陷最少化(可以减少或去除量子点的表面上的缺陷)，因此，也使阱发射显著最少化或者减少阱发射。因此，实施例的量子点-聚合物复合物图案对于其量子效率(在77k下)可以呈现出小于或等于大约70％，例如小于或等于大约60％的深阱发射分数。此外，实施例的量子点-聚合物复合物的深阱发光效率相对于量子产率的比率小于或等于大约0.1。深阱发射可以使用能够测量低温光致发光(lt-pl)的设备(例如，hitachif7100，荧光分光光度计)来测量。量子点-聚合物复合物还可以包括分散在聚合物基质中的金属氧化物细颗粒。金属氧化物细颗粒可以包括tio2、sio2、batio3、ba2tio4、zno或它们的组合。在量子点-聚合物复合物中，基于复合物的总重量，金属氧化物细颗粒的含量可以小于或等于大约25wt％、小于或等于大约20wt％或者小于或等于大约15wt％且大于或等于大约1wt％或者大于或等于大约5wt％。金属氧化物细颗粒的直径没有特别限制并且可以进行适当地选择。金属氧化物细颗粒的直径可以大于或等于大约100nm，例如大于或等于大约150nm或者大于或等于大约200nm且小于或等于大约1000nm或者小于或等于大约800nm。基于量子点-聚合物复合物的总重量，量子点-聚合物复合物可以包括大于或等于大约40％且小于或等于大约60％的量子点、大于或等于大约4％且小于或等于大约15％的金属氧化物细颗粒以及余量的聚合物基质，但不限于此。在如图1中表示的另一实施例中，制造上述量子点-聚合物复合物图案的方法包括以下步骤：获得包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物、多个无镉量子点、烯键式不饱和单体、具有至少两个硫醇(-sh)基的硫醇化合物、光引发剂和可选的金属氧化物细颗粒的组合物的膜(s1)；在具有预定图案的掩模下将膜暴露于光(例如，具有小于或等于大约420nm的波长)(s2)；将暴露于光的膜与碱显影液接触以溶解并去除膜的未曝光的部分，以获得图案(s3和s4)；在大于或等于大约180℃的温度下热处理图案大于或等于大约10分钟(s5)；以及将热处理后的图案置于大于或等于大约65℃的温度和大于或等于大约65％的相对湿度的条件下大于或等于大约10分钟且小于或等于大约1小时。关于包含含羧基的重复单元的线性聚合物、多个无镉量子点、烯键式不饱和单体、具有至少两个硫醇(-sh)基的硫醇化合物和金属氧化物细颗粒的细节与上面描述的相同。光引发剂(或光聚合引发剂)的类型没有特别限制，而是可以进行适当地选择。光聚合引发剂的示例可以包括三嗪类化合物、苯乙酮类化合物、二苯甲酮类化合物、噻吨酮类化合物、安息香类化合物、肟类化合物、咔唑类化合物、二酮系化合物、硼酸锍类化合物、重氮类化合物、联咪唑类化合物或它们的组合，但不限于此。基于固体含量的总重量，光引发剂的含量可以大于或等于大约0.01wt％，例如大于或等于大约0.1wt％或者大于或等于大约1wt％。可以通过使用合适的方法(诸如旋涂、狭缝涂覆等)将包括上述组分的有机分散体(或有机溶液)以所需厚度涂覆在基底上来获得膜。有机分散体(或有机溶液)可以包括有机溶剂，并且可以具有预定的固体含量(例如，大于或等于大约10％、大于或等于大约15％或者大于或等于大约20％且小于或等于大约70％、小于或等于大约60％、小于或等于大约50％、小于或等于大约40％或者小于或等于大约30％)。除了所需量的(非挥发性)固体之外，有机分散体可以包括余量的有机溶剂。有机溶剂可以通过考虑对组合物中的其它组分(例如粘合剂、可光聚合单体、光引发剂或其它添加剂)的亲和力、对碱显影液的亲和力以及沸点来适当地选择。有机溶剂的示例可以包括：3-乙氧基丙酸乙酯；乙二醇系，诸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇等；乙二醇醚系，诸如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚等；乙二醇醚乙酸酯系，诸如乙二醇乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯等；丙二醇系，诸如丙二醇等；丙二醇醚系，诸如丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二丙二醇二乙醚等；丙二醇醚乙酸酯系，诸如丙二醇单甲醚乙酸酯、二丙二醇单乙醚乙酸酯等；酰胺系，诸如n-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等；酮系，诸如甲基乙基酮(mek)、甲基异丁基酮(mibk)、环己酮等；石油系，诸如甲苯、二甲苯、溶剂石脑油等；酯系，诸如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等；醚系，诸如二乙醚、二丙醚、二丁醚等；或者它们的混合物。可以可选地在预定温度下(例如，在接近所用溶剂的沸点的温度下)对所形成的膜进行预烘焙。可以适当地选择预烘焙温度、时间和气氛(参照图1的s2)。在具有预定图案的掩模下，将所形成的(或可选的预烘焙后的)膜暴露于具有预定波长的光。可以考虑光引发剂的类型和含量以及量子点的类型和含量来选择光的波长和强度。当用碱显影液处理(例如，浸渍或喷涂)曝光后的膜时，膜中的未曝光部分被溶解以提供期望的图案。碱显影液可以是ph大于或等于大约8、大于或等于大约9、大于或等于大约10或者大于或等于大约11且小于或等于大约13或者小于或等于大约12的水溶液(例如，氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液等)。可以将所获得的图案在大于或等于大约180℃(例如，大于或等于大约180℃且小于或等于大约230℃)的温度下后烘焙预定时间(例如，大于或等于大约10分钟或者大于或等于大约20分钟)。该后烘焙工艺对于形成期望的图案是必要的，但是根据发明人的研究，量子点-聚合物复合物图案的深阱发射可能会大大增加，并且可能会对亮度具有显著的负面影响。量子点-聚合物复合物图案可以可选地包括两个或更多个部分。例如，可以通过如下方式来获得具有多个部分的量子点-聚合物复合物图案：制备分别包括红色量子点或绿色量子点(或可选地，蓝色量子点)的两种或三种类型的组合物，并且根据需要重复前述图案化工艺多次(例如，大约两次或更多次或者三次或更多次)(s6)。在实施例中，将后烘焙工艺之后的量子点-聚合物复合物图案置于相对高温和相对潮湿的条件下大于或等于大约10分钟(例如，大于或等于大约20分钟)且小于或等于大约1小时(例如，小于或等于大约50分钟)。(在下文中，也称为水热处理工艺)。在实施例中，可以在大于或等于大约65℃、大于或等于大约70℃、大于或等于大约75℃、大于或等于大约80℃或者大于或等于大约85℃下执行水热处理。在实施例中，可以在大于或等于大约65％、大于或等于大约70％、大于或等于大约75％、大于或等于大约80％或者大于或等于大约85％的相对湿度下执行水热处理。通过水热处理，量子点-聚合物复合物可以呈现出改变的红外光谱，这与上面示出的相同。在另一实施例中，显示装置包括光源和发光元件(例如，光致发光元件)，其中，发光元件包括上述量子点-聚合物复合物，并且光源被构造为向发光元件提供入射光。入射光可以具有在大于或等于大约440nm(例如，大于或等于大约450nm)且小于或等于大约460nm的范围内的峰值波长。入射光可以是第三光。光源可以包括分别对应于第一部分和第二部分的多个发光单元，并且发光单元可以包括彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的电致发光层。电致发光层可以包括有机发光材料。例如，光源的每个发光单元可以包括被构造为发射预定波长的光(例如，蓝光、绿光或它们的组合)的电致发光器件(例如，有机发光二极管(oled))。电致发光器件(例如，有机发光二极管(oled))的结构和材料是已知的，而没有特别限制。根据实施例的显示装置可以被构造为基于bt2020具有大于或等于大约80％的颜色再现性。图2a和图2b是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。参照图2a和图2b，光源可以包括有机发光二极管oled(例如，发射蓝光或发射波长小于或等于大约500nm的光)。参照图2a和图2b，光源包括发射蓝光的有机发光二极管oled。有机发光二极管oled可以包括：(至少两个，例如，三个或更多个)像素电极90a、90b、90c，形成在基底100上；像素限定层150a、150b，形成在相邻的像素电极90a、90b、90c之间；有机发光层140a、140b、140c，形成在像素电极90a、90b、90c上；以及共电极层130，形成在有机发光层140a、140b、140c上。可以在有机发光二极管oled下方设置薄膜晶体管和基底。关于有机发光二极管oled的细节与上面描述的相同。有机发光二极管oled的像素区域可以对应于稍后将描述的第一部分、第二部分和第三部分进行设置。量子点-聚合物复合物图案(例如，包括包含绿色量子点的g部分和包含红色量子点的r部分)和基底的堆叠结构或者量子点-聚合物复合物图案可以设置在光源上(例如，直接设置在光源上)。从光源发射的光(例如，蓝光)可以进入量子点-聚合物复合物图案170的第二部分21和第一部分11以分别发射(例如，转换的)红光r和绿光g。从光源发射的蓝光b穿过第三部分31或从第三部分31透射。在发射红光的第二部分21、发射绿光的第一部分11或它们的组合上方可以设置光学元件160。光学元件可以是截止(例如，反射或吸收)蓝光和可选的绿光的蓝色截止层，或者第一滤光器层310(见图3)。蓝色截止层(或光学元件)160可以设置在上基底240上。蓝色截止层160可以设置在上基底240下方(例如，设置在上基底240的底表面上)。蓝色截止层160可以设置在上基底240与量子点-聚合物复合物图案之间并且位于第一部分11和第二部分21上方。关于蓝色截止层的细节与下面针对第一滤光器层310所阐述的相同。可以通过单独地制造堆叠结构和(例如，发射蓝光的)led或oled然后组装它们来获得显示装置。可选地，可以通过直接在led或oled上形成量子点-聚合物复合物图案来获得显示装置。在实施例中，显示装置还可以包括下基底210、设置在下基底210下方的光学元件(例如，偏振器)300以及置于堆叠结构与下基底210之间的液晶层220。堆叠结构可以以这样的方式设置：光致发光层(即，量子点-聚合物复合物图案)面向液晶层。显示装置还可以包括位于液晶层220与光致发光层(发光层)之间的光学元件(例如，偏振器)300。光源还可以包括led并且可选地包括导光面板。参照图3，在非限制性实施例中，显示装置包括背光单元，背光单元包括液晶面板200、设置在液晶面板200上和/或下的光学元件300(例如偏振片)以及设置在底部光学元件300下的发射蓝光的光源。背光单元可以包括光源110和导光面板120(边缘型)。背光单元可以是没有导光面板(未示出)的直下发光型。液晶面板200可以包括下基底210、上基底240、设置在上基底与下基底之间的液晶层220以及设置在上基底240的上表面或底表面上的滤色器层230。滤色器层(也可以称为光致发光层)230可以包括上述量子点-聚合物复合物(或其图案)。布线板211可以设置在下基底210的内表面(例如上表面)上。布线板211可以包括限定像素区域的多条栅极线(未示出)和数据线(未示出)、与栅极线和数据线的交叉区域相邻设置的薄膜晶体管以及针对每个像素区域的像素电极，但不限于此。这种布线板的细节是已知的并且没有特别限制。液晶层220可以设置在布线板211上。液晶层220可以包括位于液晶层220上和下的取向层221，以使包括在其中的液晶材料初始取向。液晶材料和取向层的细节(例如，液晶材料、取向层材料、形成液晶层的方法、液晶层的厚度等)是已知的并且没有特别限制。上部光学元件(或上部偏振器)300可以设置在液晶层220与上基底240之间，但不限于此。例如，上部偏振器可以设置在液晶层220或共电极231与光致发光层230(或量子点-聚合物复合物图案)之间。在实施例中，光学元件300可以是偏振器。黑色矩阵241设置在上基底(例如，其底表面)上且具有开口，并且遮挡位于下基底上的布线板的栅极线、数据线和薄膜晶体管。被构造为发射红光的第二滤色器(r)、被构造为发射绿光的第一滤色器(g)和/或被构造为发射(和/或透射)蓝光的第三滤色器(b)可以设置在黑色矩阵241的开口中。例如，黑色矩阵241可以具有格栅形状。如果需要，光致发光层还可以包括至少一个第四部分。第四部分可以被构造为发射颜色与从第一部分至第三部分发射的光的颜色不同的光(例如，青色光、品红色光和黄色光)。滤色器层230可以设置在透明的共电极231上。如果需要，显示装置还可以包括蓝光阻挡层(在下文中，也称为第一滤光器层)。蓝光阻挡层可以设置在r部分的底表面和g部分的底表面与上基底240之间或者设置在上基底240的上表面上。蓝光阻挡层可以包括具有与显示蓝色的像素区域(例如，第三部分)对应的开口的片，并且可以形成在与r部分和g部分对应的部分上。第一滤光器层可以在除了与b部分叠置的位置之外的其余位置处一体形成为一体结构，但不限于此。至少两个第一滤光器层可以间隔开并且设置在与r部分和g部分叠置的位置中的各自位置处。例如，第一滤光器层可以阻挡具有可见光区域中的一部分波长区域的光，并且透射具有其它波长区域的光。例如，第一滤光器层可以阻挡蓝光并且透射除蓝光之外的光。例如，第一滤光器层可以透射绿光、红光和/或作为绿光和红光的混合光的黄光。第一滤光器层可以包括聚合物薄膜，聚合物薄膜包括吸收具有要被阻挡的波长的光的染料和/或颜料。第一滤光器层可以阻挡至少80％或者至少90％，甚至至少95％的波长小于或等于大约480nm的蓝光，并且对于大于大约500nm且小于或等于大约700nm的其它可见光，第一滤光器层可以具有大于或等于大约70％、大于或等于大约80％、大于或等于大约90％或者甚至大约100％的透光率。第一滤光器层可以吸收小于或等于大约500nm的蓝光并且基本上阻挡它，但是可以例如选择性地透射绿光或红光。在这种情况下，至少两个第一滤光器层可以间隔开并且分别设置在与r部分和g部分叠置的位置中的各自位置处。例如，选择性地透射红光的第一滤光器层可以设置在与发射红光的部分叠置的位置处，并且选择性地透射绿光的第一滤光器层可以设置在与发射绿光的部分叠置的位置处。例如，第一滤光器层可以包括第一区域和第二区域中的至少一者，其中，第一区域阻挡(例如，吸收)蓝光和红光并且透射具有预定范围的波长(例如，大于或等于大约500nm、大于或等于大约510nm或者大于或等于大约515nm且小于或等于大约550nm、小于或等于大约540nm、小于或等于大约535nm、小于或等于大约530nm、小于或等于大约525nm或者小于或等于大约520nm)的光，第二区域阻挡(例如，吸收)蓝光和绿光并且透射具有预定范围的波长(例如，大于或等于大约600nm、大于或等于大约610nm或者大于或等于大约615nm且小于或等于大约650nm、小于或等于大约640nm、小于或等于大约635nm、小于或等于大约630nm、小于或等于大约625nm或者小于或等于大约620nm)的光。第一区域可以设置在与发射绿光的部分叠置的位置处，并且第二区域可以设置在与发射红光的部分叠置的位置处。第一区域和第二区域可以通过例如黑色矩阵等光学隔离。第一滤光器层可以有助于改善显示装置的色纯度。第一滤光器层可以是包括具有不同折射率的多个层(例如，无机材料层)的反射滤光器。例如，具有不同折射率的两个层可以彼此交替堆叠，或者例如具有高折射率的层和具有低折射率的层可以彼此交替堆叠。显示装置还可以包括第二滤光器层311(例如，红光再循环层/绿光再循环层或黄光再循环层)，第二滤光器层设置在光致发光层与液晶层之间(例如，在光致发光层与上部偏振器之间)并且透射第三光的至少一部分并反射第一光和第二光的至少一部分。第二滤光器层可以反射大于大约500nm的波长区域中的光。第一光可以是绿光(或红光)，第二光可以是红光(或绿光)，并且第三光可以是蓝光。另一实施例提供了一种包括上述量子点-聚合物复合物(或其图案)的电子装置。该装置可以包括发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)、传感器、太阳能电池、成像传感器或液晶显示器(lcd)，但不限于此。在下文中，参照示例更详细地说明实施例。然而，它们是本发明的示例性实施例，并且本发明不限于此。示例测量方法：分析方法[1]发光效率将复合物膜放入积分球中并通过450nm波长的激发光照射，然后测量复合物膜的发光效率。[2]傅里叶变换红外光谱通过使用来自bruker公司(brukerco.ltd.)的红外光谱分析仪vertex70-hyperion3000或来自agilent公司(agilentco.,ltd.)的varian670ir对所获得的图案执行傅里叶变换红外光谱。[3]阱发射和低温光致发光通过荧光分光光度计(hitachi，f7100)执行77k温度下的深阱发射和测量。参考示例1：无镉量子点的制造(1)将0.2毫摩尔(mmol)的乙酸铟、0.6mmol的棕榈酸和10毫升(ml)的1-十八烯放入反应器中，并在120℃下真空加热。1小时后将反应器中的气氛用氮交换。将混合物在280℃下加热后，向反应器迅速加入0.1mmol的三(三甲基甲硅烷基)膦(tms3p)和0.5ml的三辛基膦的混合溶液并反应20分钟。将反应溶液迅速冷却至室温并加入丙酮，并将产物混合物进行离心，以得到沉淀物，并且将沉淀物分散在甲苯中。所获得的inp半导体纳米晶体呈现出420纳米(nm)至600nm的紫外(uv)第一吸收最大波长。将0.3mmol(0.056克(g))的乙酸锌、0.6mmol(0.189g)的油酸和10ml的三辛胺放入反应烧瓶中，并在120℃下真空处理10分钟。将反应烧瓶内部用氮(n2)代替并加热至220℃。将inp半导体纳米晶体的甲苯分散体(od：0.15)和预定量的s/top加入反应烧瓶中，然后加热至280℃并反应30分钟。当反应完成时，将反应溶液迅速冷却至室温，以获得包括inp/zns半导体纳米晶体的反应产物。(2)向包括inp/zns半导体纳米晶体的反应产物加入过量的乙醇，然后，将混合物离心。离心后，除去或分离上清液，并且将得到的沉淀物干燥并将沉淀物分散在氯仿或甲苯中以获得量子点分散溶液(下文中，称为qd溶液)。测量所获得的qd溶液的uv-vis吸收光谱。所制造的量子点发射大致530nm波长的光。示例1：[1]将根据参考示例1的量子点的氯仿分散溶液与粘合剂(甲基丙烯酸、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸羟基乙酯和苯乙烯的四元共聚物，酸值：130mgkoh/g，分子量：8000，甲基丙烯酸:甲基丙烯酸苄酯:甲基丙烯酸羟基乙酯:苯乙烯(摩尔比)＝61.5％:12％:16.3％:10.2％)溶液(浓度为30重量百分比(wt％)的聚丙二醇单甲醚乙酸酯)混合以制备量子点-粘合剂分散体。在量子点-粘合剂分散体中，当用肉眼检查和观察时，量子点均匀地分散开。[2]在量子点-粘合剂分散体中，将具有以下结构的乙二醇二-3-巯基丙酸酯(下文中，称为2t)、作为可光聚合单体的具有以下结构的六丙烯酸酯、作为引发剂的肟酯化合物、金属氧化物细颗粒和pgmea混合以制备组合物(组合物的总固体含量：25％)。均基于组合物的总固体含量，所制备的组合物包括43wt％的量子点、10wt％的粘合剂、12wt％的可光聚合单体、0.5wt％的引发剂、9.5wt％的氧化钛细颗粒和25wt％的2t。组合物的总固体含量为25wt％。[3]将组合物以180转每分钟(rpm)在玻璃基底上旋涂5秒以获得膜。将膜在100℃下预烘焙(prb)。将预烘焙后的膜在具有预定图案的掩模下通过光(波长：365nm，强度：100毫焦耳(mj))照射一秒，并在氢氧化钾水溶液(浓度：0.043wt％，ph：11)中显影50秒以获得图案(线宽：100微米(μm))。将所获得的图案在180℃下热处理(后烘焙，pob)30分钟。在85％的相对湿度和85℃的温度下，将热处理后的图案在腔室中水热处理(ht)10分钟。测量预烘焙后的膜、pob后的图案和ht后的图案的发光效率，并且结果示于表1中。在ht之前和之后，执行红外光谱，并且将处理之前和之后的oh峰(波数：3500nm)相对于丙烯酸酯峰(波数：1650nm)的比率和oh峰相对于芳基峰(波数：1400nm)的比率示于表2中。[4]测量根据参考示例1的量子点分散溶液和根据示例1的量子点-聚合物复合物(在pob和ht之后)的深阱的产生，并且结果示于图4中。参照图4的结果，pob之后量子点-聚合物复合物的增加的深阱发射可以通过水热处理减少。示例2：除了基于组合物的固体的总量，使用26wt％的量子点、20wt％的粘合剂、19wt％的可光聚合单体、0.5wt％的引发剂、9.5wt％的氧化钛细颗粒和25wt％的2t之外，根据与示例1的方法相同的方法制备组合物，并且通过使用该组合物形成量子点-聚合物复合物图案。测量预烘焙后的膜、pob后的图案和ht后的图案的发光效率，并且结果示于表1中。ht后执行红外光谱，并计算处理之前和之后的oh峰(波数：大约3500cm-1)相对于丙烯酸酯峰(波数：大约1650cm-1)的比率和oh峰相对于芳基峰(波数：大约1400cm-1)的比率，并且结果示于表2中。峰的比率指使用varianresolutionspro(用于分析ftir光谱的商业软件)在透射光谱中相应陈述的波数下测得的oh峰、丙烯酸酯峰和芳基峰中的每者的峰面积的比率。表1参照表1的结果，通过ht处理大大改善了由于pob处理而降低的发光效率。表2参照表2的结果，根据示例1和示例2的量子点-聚合物复合物呈现出以下结果：在ht处理之后的oh峰比率相对于ht处理之前的oh峰比率增加。示例3-1至示例3-4：除了基于组合物的总固体量，使用51wt％的量子点、10wt％的粘合剂、9.3wt％的可光聚合单体、0.2wt％的引发剂、4.5wt％的氧化钛细颗粒和25wt％的2t来制备组合物，并且在65℃(温度)和65％(rh)(示例3-1)、75℃(温度)和75％(rh)(示例3-2)、85℃(温度)和85％(rh)(示例3-3)、95℃(温度)和95％(rh)(示例3-4)的条件下执行水热处理之外，根据与示例1的方法相同的方法形成各个量子点-聚合物复合物图案。测量pob后的图案和ht处理后的图案的发光效率，并且结果示于表3中。关于示例3-1、示例3-2和示例3-4的图案，ht处理之前和之后执行红外光谱，然后，计算处理之前和之后的oh峰(波数：3500nm)相对于丙烯酸酯峰(波数：1650nm)的比率和oh峰相对于芳基峰(波数：1400nm)的比率，并且结果示于表4中。表3参照表3的结果，通过ht处理，pob后的发光效率不降低(或者可以提高)。表4oh峰相对于芳基峰oh峰相对于丙烯酸酯峰ht处理前8.622.44示例3-1(6565条件)11.673.5示例3-2(7575条件)12.953.89示例3-4(9595条件)15.824.75参照表4的结果，示出了ht处理之后的oh峰比率相对于ht处理之前的oh峰比率增加。虽然已经结合目前被认为是实际的示例实施例的内容描述了本公开，但是将理解的是，发明不局限于所公开的实施例。相反，本公开意图涵盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。当前第1页1 2 3 

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