异龙脑脱氢除杂质制高纯度樟脑的方法
2021-02-02 13:02:17|381|起点商标网
专利名称:异龙脑脱氢除杂质制高纯度樟脑的方法
技术领域:
本发明是用异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法。
目前,合成樟脑工业生产中,采用工业莰烯为原料,用酯化-皂化法或直接水合法制异龙脑,然后用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢得到樟脑,但正如林产化学工业手册(上册)所述的由于工业莰烯中含有一定量的葑烯类杂质,所生产的异龙脑也含有一定量的葑醇,最后的樟脑成品中就含有一定量的葑酮,较严重地影响了樟脑的纯度,目前用这一方法生产的合成樟脑纯度为96%左右。在CN9010429.9中公开的是采用莰烯直接水合法制异龙脑时还会生成相当数量的水合莰烯,在用碱式碳酸铜催化脱氢时,水合莰烯一般不发生反应,最后也成为樟脑成品中的杂质。另外在CN85104105,A中公开的是采用直接水合制异龙脑时通常都需要加入某些溶剂加快反应速度,如采用某些醇类作溶剂时,醇和莰烯会起反应生成异龙脑基醚,它也就成为一种沸点与樟脑较接近不易分离的杂质。
本发明的目的是提供一种除去异龙脑杂质制备高纯度樟脑方法。其要点为在已有的用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢之后,视其杂质含量的多少,加入适量的硼酸使物料呈酸性,经过一定时间的反应葑酮、水合莰烯及异龙脑基醚等杂质都会发生脱水或分解反应生成莰烯,葑烯等与樟脑沸点相差很大的萜烯,加入硼酸后,反应温度控制在165-185℃之间,最好控制在178-182℃之间,经过反应后在升华樟脑之前就很容易把它们分离,本发明的另一特点是在除去杂质反应完成后必须加入适量的碱性物质一般是用氧化钙,中和所加入的硼酸保证在分馏溶剂和樟脑升华时呈碱性,使樟脑不会分解变成莰烯。用本发明的工艺,可以生产出纯度达98-99%的合成樟脑。
实施例一取300克直接水合法生产的粗异龙脑(异龙脑86.4%,水合莰烯8.6%,葑醇3.3%,莰烯1.7%)加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4.5克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水份,反应5小时后脱氢反应结束,加入6克硼酸使物料呈酸性,继续在178-182℃下进行脱水等除杂质反应。反应6小时后,在分水器中约分出8克水,停止反应。加入7克氧化钙调节物料至碱性。然后装入分馏柱,把溶剂二甲苯及沸点较低的萜烯分离干净。最后进行樟脑升华,樟脑的纯度为99.2%,得率为80%左右。
实施例二取300克以异丙醇为溶剂的直接水合法生产的粗异龙脑(异龙脑81.6%,葑醇1.9%,异龙脑基异丙醚6.3%,水合莰烯5.4%,3-茨醇1.3%,莰烯3.5%),加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃下进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水份,反应5小时后脱氢反应结束。加入6克硼酸使物料呈酸性,然后进行脱水除杂质反应,反应4小时后停止反应。加入6克氧化钙调节物料呈碱性,装上分馏柱分出二甲苯和沸点较低的萜烯后进行樟脑的升华,樟脑的收得率为80%左右,所得樟脑的纯度为98%,另含葑酮0.9%,3-莰酮1.1%。
实施例三取300克酯化皂化法生产的异龙脑(异龙脑93.8%,葑醇1.86%,3-莰醇1.61%,莰烯2.5%)加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4.5克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃下进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水,反应5小时脱氢完毕。加入6克硼酸使物料呈酸性,进行除杂质反应,反应6小时后停止反应。加入7克氧化钙,调节物料呈碱性,装上分馏柱,分出二甲苯及低沸点的萜烯后进行樟脑的升华。樟脑的收得率为85%左右,所得樟脑纯度为98.3%,葑酮0.88%,3-莰酮0.82%。
权利要求
1.一种异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法,该法采用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢,其特征为脱氢后加入硼酸将物料调至酸性,反应完成后再加入碱性物质,使物料呈碱性,然后分离溶剂和杂质,升华后得到高纯度的樟脑。
2.根据权利要求1中所述的方法,其特征在于用硼酸除去杂质的反应温度可以控制在165-185℃,尤其可以控制在178-182℃。
3.根据权利要求1中所述的方法,其特征在于反应完成后加入的碱性物质可以是氧化钙。
全文摘要
本发明是用异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法。目前合成樟脑工业中,采用工业莰烯为原料用酯化皂化法合成异龙脑,然后脱氢得到樟脑,或莰烯直接水合制异龙脑从而进一步得到樟脑的合成过程中都会产生一些与樟脑难以分离的杂质,以至较严重地影响樟脑的纯度。本发明提供一种提纯樟脑的方法,其特点为在异龙脑脱氢之后视其杂质的多少,加入适量硼酸,除去杂质后再加入氧化钙等碱性物质进行中和,从而可以得到纯度为98—99%的合成樟脑。
文档编号C07C49/437GK1065451SQ91101889
公开日1992年10月21日 申请日期1991年3月22日 优先权日1991年3月22日
发明者陈庆之, 曹舒林, 蔡晓军, 李允隆, 杨国丽 申请人:中国科学院广州化学研究所
技术领域:
本发明是用异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法。
目前,合成樟脑工业生产中,采用工业莰烯为原料,用酯化-皂化法或直接水合法制异龙脑,然后用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢得到樟脑,但正如林产化学工业手册(上册)所述的由于工业莰烯中含有一定量的葑烯类杂质,所生产的异龙脑也含有一定量的葑醇,最后的樟脑成品中就含有一定量的葑酮,较严重地影响了樟脑的纯度,目前用这一方法生产的合成樟脑纯度为96%左右。在CN9010429.9中公开的是采用莰烯直接水合法制异龙脑时还会生成相当数量的水合莰烯,在用碱式碳酸铜催化脱氢时,水合莰烯一般不发生反应,最后也成为樟脑成品中的杂质。另外在CN85104105,A中公开的是采用直接水合制异龙脑时通常都需要加入某些溶剂加快反应速度,如采用某些醇类作溶剂时,醇和莰烯会起反应生成异龙脑基醚,它也就成为一种沸点与樟脑较接近不易分离的杂质。
本发明的目的是提供一种除去异龙脑杂质制备高纯度樟脑方法。其要点为在已有的用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢之后,视其杂质含量的多少,加入适量的硼酸使物料呈酸性,经过一定时间的反应葑酮、水合莰烯及异龙脑基醚等杂质都会发生脱水或分解反应生成莰烯,葑烯等与樟脑沸点相差很大的萜烯,加入硼酸后,反应温度控制在165-185℃之间,最好控制在178-182℃之间,经过反应后在升华樟脑之前就很容易把它们分离,本发明的另一特点是在除去杂质反应完成后必须加入适量的碱性物质一般是用氧化钙,中和所加入的硼酸保证在分馏溶剂和樟脑升华时呈碱性,使樟脑不会分解变成莰烯。用本发明的工艺,可以生产出纯度达98-99%的合成樟脑。
实施例一取300克直接水合法生产的粗异龙脑(异龙脑86.4%,水合莰烯8.6%,葑醇3.3%,莰烯1.7%)加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4.5克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水份,反应5小时后脱氢反应结束,加入6克硼酸使物料呈酸性,继续在178-182℃下进行脱水等除杂质反应。反应6小时后,在分水器中约分出8克水,停止反应。加入7克氧化钙调节物料至碱性。然后装入分馏柱,把溶剂二甲苯及沸点较低的萜烯分离干净。最后进行樟脑升华,樟脑的纯度为99.2%,得率为80%左右。
实施例二取300克以异丙醇为溶剂的直接水合法生产的粗异龙脑(异龙脑81.6%,葑醇1.9%,异龙脑基异丙醚6.3%,水合莰烯5.4%,3-茨醇1.3%,莰烯3.5%),加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃下进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水份,反应5小时后脱氢反应结束。加入6克硼酸使物料呈酸性,然后进行脱水除杂质反应,反应4小时后停止反应。加入6克氧化钙调节物料呈碱性,装上分馏柱分出二甲苯和沸点较低的萜烯后进行樟脑的升华,樟脑的收得率为80%左右,所得樟脑的纯度为98%,另含葑酮0.9%,3-莰酮1.1%。
实施例三取300克酯化皂化法生产的异龙脑(异龙脑93.8%,葑醇1.86%,3-莰醇1.61%,莰烯2.5%)加入带搅拌和分水器的三口瓶内,加入4.5克碱式碳酸铜和60克二甲苯,加热搅拌,在178-182℃下进行脱氢反应。开始时分水器可分出少量水,反应5小时脱氢完毕。加入6克硼酸使物料呈酸性,进行除杂质反应,反应6小时后停止反应。加入7克氧化钙,调节物料呈碱性,装上分馏柱,分出二甲苯及低沸点的萜烯后进行樟脑的升华。樟脑的收得率为85%左右,所得樟脑纯度为98.3%,葑酮0.88%,3-莰酮0.82%。
权利要求
1.一种异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法,该法采用碱式碳酸铜催化异龙脑脱氢,其特征为脱氢后加入硼酸将物料调至酸性,反应完成后再加入碱性物质,使物料呈碱性,然后分离溶剂和杂质,升华后得到高纯度的樟脑。
2.根据权利要求1中所述的方法,其特征在于用硼酸除去杂质的反应温度可以控制在165-185℃,尤其可以控制在178-182℃。
3.根据权利要求1中所述的方法,其特征在于反应完成后加入的碱性物质可以是氧化钙。
全文摘要
本发明是用异龙脑脱氢制备高纯度樟脑的方法。目前合成樟脑工业中,采用工业莰烯为原料用酯化皂化法合成异龙脑,然后脱氢得到樟脑,或莰烯直接水合制异龙脑从而进一步得到樟脑的合成过程中都会产生一些与樟脑难以分离的杂质,以至较严重地影响樟脑的纯度。本发明提供一种提纯樟脑的方法,其特点为在异龙脑脱氢之后视其杂质的多少,加入适量硼酸,除去杂质后再加入氧化钙等碱性物质进行中和,从而可以得到纯度为98—99%的合成樟脑。
文档编号C07C49/437GK1065451SQ91101889
公开日1992年10月21日 申请日期1991年3月22日 优先权日1991年3月22日
发明者陈庆之, 曹舒林, 蔡晓军, 李允隆, 杨国丽 申请人:中国科学院广州化学研究所
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