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一种复合型多功能双面卷绕镀膜机的制作方法

2021-02-01 21:02:27|274|起点商标网
一种复合型多功能双面卷绕镀膜机的制作方法

[0001]
本发明涉及真空镀膜设备技术领域,具体涉及一种复合型多功能双面卷绕镀膜机。


背景技术:

[0002]
目前,对柔性材料的镀膜一般是采用蒸发镀膜或溅射镀膜等单一方式进行单面镀膜。蒸发镀膜是在真空状态下对镀膜材料加热气化而进行沉积成膜,镀膜速度快,效率高,但是制程温度高、良率低,镀膜的均匀性和结合力差。溅射镀膜是通过辉光放电离化气体轰击靶材溅射出材料粒子而形成膜层,镀膜稳定性好,均匀度好,膜层致密,但镀膜效率偏慢,产能不高,不能满足高效生产的要求。采用单一的镀膜方式和单面镀膜的方式,不利于提高镀膜的质量和生产效率。


技术实现要素:

[0003]
针对现有技术中存在的技术问题,本发明的目的是:提供一种复合型多功能双面卷绕镀膜机,能够实现磁控溅射镀膜和蒸发镀膜相结合进行镀膜,并能实现薄膜基材连续双面镀膜,提高镀膜的质量和生产效率。
[0004]
为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
[0005]
一种复合型多功能双面卷绕镀膜机,包括真空容器,真空容器内设有用于卷绕薄膜基材的收放卷室,用于对薄膜基材一面进行镀膜的第一镀膜机构,用于对薄膜基材另一面进行镀膜的第二镀膜机构;第一镀膜机构包括第一镀膜辊,沿着第一镀膜辊的圆周方向至少设置有一个溅射镀膜区和一个蒸发镀膜区;第二镀膜机构包括第二镀膜辊,沿着第二镀膜辊的圆周方向至少设置有一个溅射镀膜区和一个蒸发镀膜区;收放卷室内设有放卷辊、第一导辊、第二导辊和收卷辊,从放卷辊出来的薄膜基材依次经过第一导辊、第一镀膜辊、第二镀膜辊、第二导辊、收卷辊,溅射镀膜区内均设有磁控靶,蒸发镀膜区内设有蒸发源。
[0006]
进一步的,第一镀膜机构包括第一镀膜辊,沿着第一镀膜辊的圆周方向依次设置有第一溅射镀膜区、第一蒸发镀膜区、第二溅射镀膜区;第二镀膜机构包括第二镀膜辊,沿着第二镀膜辊的圆周方向依次设置有第三溅射镀膜区、第二蒸发镀膜区、第四溅射镀膜区。
[0007]
进一步的,收放卷室和第一溅射镀膜区之间、第一溅射镀膜区和第一蒸发镀膜区之间、第一蒸发镀膜区和第二溅射镀膜区之间、第二溅射镀膜区和收放卷室之间、收放卷室和第三溅射镀膜区之间、第三溅射镀膜区和第二蒸发镀膜区之间、第二蒸发镀膜区和第四溅射镀膜区之间、第四溅射镀膜区和收放卷室之间均设置有分区隔气装置,分区隔气装置与第一镀膜辊和第二镀膜辊之间均留有供薄膜基材通过的间隙。
[0008]
进一步的,收放卷室、第一溅射镀膜区、第一蒸发镀膜区、第二溅射镀膜区、第三溅射镀膜区、第二蒸发镀膜区、第四溅射镀膜区上均设有真空抽气机组。
[0009]
进一步的,真空容器上设有真空测量系统。
[0010]
进一步的,第一蒸发镀膜区和第二蒸发镀膜区的工作真空度为9*10-2
pa-1*10-3
pa。
[0011]
进一步的,第一溅射镀膜区、第二溅射镀膜区、第三溅射镀膜区和第四溅射镀膜区的工作真空度为1*10-1
pa-1pa。
[0012]
进一步的,蒸发源为电阻加热蒸发源、感应加热蒸发源、电子束加热蒸发源或条状线性蒸发源。
[0013]
进一步的,磁控靶为平面磁控靶或圆柱磁控靶。
[0014]
进一步的,真空容器的形状为方形、圆筒形或者其他任意形状。
[0015]
总的说来,本发明具有如下优点:
[0016]
1、本发明通过采用溅射镀膜区、蒸发镀膜区和溅射镀膜区组合的方式,实现了磁控溅射镀膜、蒸发镀膜和磁控溅射镀膜的复合镀膜功能,解决了单一方式镀膜的问题;并通过采用两个镀膜辊,实现了薄膜基材连续双面镀膜的功能,解决了单面镀膜的问题。本发明兼具溅射镀膜和蒸发镀膜,并能实现薄膜基材连续双面镀膜,显著提高了镀膜的均匀性和膜层的附着力,同时大幅度降低了制程的温度,提高了产品的质量,提高了生产效率和产品合格率。
[0017]
2、本发明的收放卷室、第一镀膜机构和第二镀膜机构均位于同一真空容器内,提高了设备的空间利用率。
[0018]
3、本发明通过设置分区隔气装置,确保各个区能相互不影响地工作,各自发挥各自的优势,实现多区多层镀膜,提高生产效率。
附图说明
[0019]
图1是本发明的结构示意图。
[0020]
其中:1为真空容器,2为收放卷室,3为第一镀膜辊,4为第二镀膜辊,5为第一溅射镀膜区,6为第一蒸发镀膜区,7为第二溅射镀膜区,8为第三溅射镀膜区,9为第二蒸发镀膜区,10为第四溅射镀膜区,11为放卷辊,12为第一导辊,13为第二导辊,14为收卷辊,15为磁控靶,16为蒸发源,17为分区隔气装置,18为真空抽气机组,19为真空测量系统。
具体实施方式
[0021]
下面将结合附图和具体实施方式来对本发明做进一步详细的说明。
[0022]
如图1所示,一种复合型多功能双面卷绕镀膜机,包括真空容器,真空容器内设有用于卷绕薄膜基材的收放卷室,用于对薄膜基材一面进行镀膜的第一镀膜机构,用于对薄膜基材另一面进行镀膜的第二镀膜机构;第一镀膜机构包括第一镀膜辊,沿着第一镀膜辊的圆周方向至少设置有一个溅射镀膜区和一个蒸发镀膜区;第二镀膜机构包括第二镀膜辊,沿着第二镀膜辊的圆周方向至少设置有一个溅射镀膜区和一个蒸发镀膜区;收放卷室内设有放卷辊、第一导辊、第二导辊和收卷辊,从放卷辊出来的薄膜基材依次经过第一导辊、第一镀膜辊、第二镀膜辊、第二导辊、收卷辊,溅射镀膜区内均设有磁控靶,蒸发镀膜区内设有蒸发源。
[0023]
如图1所示,在本实施方式中,第一镀膜机构包括第一镀膜辊,沿着第一镀膜辊的圆周方向依次设置有第一溅射镀膜区、第一蒸发镀膜区、第二溅射镀膜区;第二镀膜机构包
括第二镀膜辊,沿着第二镀膜辊的圆周方向依次设置有第三溅射镀膜区、第二蒸发镀膜区、第四溅射镀膜区。
[0024]
如图1所示,收放卷室和第一溅射镀膜区之间、第一溅射镀膜区和第一蒸发镀膜区之间、第一蒸发镀膜区和第二溅射镀膜区之间、第二溅射镀膜区和收放卷室之间、收放卷室和第三溅射镀膜区之间、第三溅射镀膜区和第二蒸发镀膜区之间、第二蒸发镀膜区和第四溅射镀膜区之间、第四溅射镀膜区和收放卷室之间均设置有分区隔气装置,分区隔气装置与第一镀膜辊和第二镀膜辊之间均留有供薄膜基材通过的间隙。相邻的两个空间之间设置有分区隔气装置,使得各个空间形成相对密闭的环境,不受其他空间的影响,保证了镀膜的稳定性;分区隔气装置与第一镀膜辊和第二镀膜辊之间均留有间隙,便于薄膜基材通过各个区完成镀膜过程。
[0025]
如图1所示,收放卷室、第一溅射镀膜区、第一蒸发镀膜区、第二溅射镀膜区、第三溅射镀膜区、第二蒸发镀膜区、第四溅射镀膜区上均设有真空抽气机组。收放卷室和每个区上都设有真空抽气机组,能够保证不同的空间中具有不同的工作真空度和工作气氛。
[0026]
如图1所示,真空容器上设有真空测量系统,便于测量真空容器内的压力值。真空容器的形状为方形、圆筒形或者其他任意形状。
[0027]
蒸发源的温度范围是300~5000℃,第一蒸发镀膜区和第二蒸发镀膜区的工作真空度为9*10-2
pa-1*10-3
pa。
[0028]
第一溅射镀膜区、第二溅射镀膜区、第三溅射镀膜区和第四溅射镀膜区的工作真空度为1*10-1
pa-1pa。
[0029]
蒸发源的喷射方向朝向薄膜基材,蒸发源为电阻加热蒸发源、感应加热蒸发源、电子束加热蒸发源或条状线性蒸发源。
[0030]
磁控靶的溅射方向朝向薄膜基材,磁控靶为平面磁控靶或圆柱磁控靶,每个溅射镀膜区内的磁控靶的数量为1个或1个以上,磁控靶的电源为直流电源、中频电源或射频电源。
[0031]
本发明的工作原理如下:
[0032]
薄膜基材从放卷辊出来,并经过第一导辊、第一镀膜辊,在经过第一镀膜辊时,薄膜基材会进入到第一溅射镀膜区中,第一溅射镀膜区中的磁控靶会对薄膜基材一面镀制第一层膜,然后薄膜基材进入到第一蒸发镀膜区中,第一蒸发镀膜区中的蒸发源会对薄膜基材一面镀制第二层膜,然后再进入到第二溅射镀膜区中,第二溅射镀膜区中的磁控靶会对薄膜基材一面镀制第三层膜,至此就完成了对薄膜基材一面的复合镀膜;然后薄膜基材再经过第二镀膜辊,镀制有三层膜的薄膜基材一面紧贴第二镀膜辊,尚未镀制的薄膜基材另一面露在外面,在经过第二镀膜辊时,薄膜基材会进入到第三溅射镀膜区中,第三溅射镀膜区中的磁控靶会对薄膜基材另一面镀制第一层膜,然后薄膜基材进入到第二蒸发镀膜区中,第二蒸发镀膜区中的蒸发源会对薄膜基材另一面镀制第二层膜,然后再进入到第四溅射镀膜区中,第四溅射镀膜区中的磁控靶会对薄膜基材另一面镀制第三层膜,至此就完成了对薄膜基材另一面的复合镀膜;然后薄膜基材再经过第二导辊和收卷辊进行收卷,完成连续双面的复合型镀膜工艺。
[0033]
总的来说,本发明通过采用溅射镀膜区、蒸发镀膜区和溅射镀膜区组合的方式,实现了磁控溅射镀膜、蒸发镀膜和磁控溅射镀膜的复合镀膜功能,解决了单一方式镀膜的问
题;并通过采用两个镀膜辊,实现了薄膜基材连续双面镀膜的功能,解决了单面镀膜的问题。本发明兼具溅射镀膜和蒸发镀膜,并能实现薄膜基材连续双面镀膜,显著提高了镀膜的均匀性和膜层的附着力,同时大幅度降低了制程的温度,提高了产品的质量,提高了生产效率和产品合格率。本发明的收放卷室、第一镀膜机构和第二镀膜机构均位于同一真空容器内,提高了设备的空间利用率。本发明通过设置分区隔气装置,确保各个区能相互不影响地工作,各自发挥各自的优势,实现多区多层镀膜,提高生产效率。
[0034]
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

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