一种电极密封调节机构的制作方法

本实用新型涉及晶体炉技术领域，尤其涉及一种电极密封调节机构。

背景技术：

晶体炉是生产单晶硅、多晶硅、碳化硅的的制造设备。主要由炉体、加热器、计算机控制系统、设备框架、真空抽气系统等组成。将原料放入坩埚中，通过加热器对坩埚加热，原料气化升华后到籽晶上结晶。在晶体炉中采用电加热线器对坩埚加热，电加热器位于炉体内部，电阻加热器的两端与两根电极固定连接，电极的外端需要伸出炉体外，进而便于与外部电路连接，由于炉体内部工作状态时为高温、低压的环境，因此电极与安装板之间的密封性能要求很高，而且电加热器与炉体的几何位置精度要求很高，现有的电极直接与安装板上的电极孔固定连接，电极的位置无法调节，这样电极安装好之后，一旦发现电加热器的位置精度存在偏差时也难以调节，电加热器的位置偏差会导致加热不均匀，影响碳化硅等生产质量。

技术实现要素：

本实用新型为了解决现有技术中的晶体炉中的电极柱无法调节的问题，提供了一种电极密封调节机构，该种电极与安装板之间密封、绝缘性能好，而且可以根据电加热器的位置微调电极的位置，进而满足电加热器的位置精度要求。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种电极密封调节机构，包括电极固定板、两根电极，所述电极固定板上设有两个电极孔，两个电极一一对应插入电极孔内，所述电极孔的两端设有套设在电极外侧的绝缘衬套，绝缘衬套的一端延伸形成伸入电极孔内的支撑凸环，所述电极上与两个绝缘衬套的对应处设有两段外螺纹，所述外螺纹上设有调节螺母；所述电极与电极孔之间形成环形间隙，所述环形间隙内设有密封圈，两个电极的内端之间连接有电加热组件。安装时，先将电极插入电极孔内，再把电加热组件与炉体之间的位置调节好，最后装入密封圈、绝缘衬套后通过锁紧螺母锁紧，电极可以在电极孔内前后微调以调节电加热组件在炉体内的位置；绝缘衬套保障电极与电极固定板之间的绝缘性，密封圈保持电极固定板两侧（炉体内部与外部）的密封性。

作为优选，所述的密封圈有两道，两道密封圈之间设有绝缘支撑环。两道密封圈增加密封性能，绝缘支撑环进一步增加绝缘性能。

作为优选，两个电极的内端外部均套设有绝缘隔离套，所述绝缘隔离套的内壁与电极的外侧之间设有绝缘支撑套。由于两根电极距离比较近，绝缘隔离套能防止电极之间发生打火现象，起到安全防护的作用。

作为优选，所述的绝缘隔离套由石英制成。

作为优选，所述电极的中心设有导流孔，所述电加热组件内设有介质通道，所述电极的外端设有与导流孔连通的管接头，所述电极的内端通过密封连接套、螺纹锁紧套与电加热组件内的介质通道连通。由于电极、电加热组件通常都是采用铜材质，而炉体内的工作温度高于铜的熔点，因此通过内部冷却水循环散热，从而确保电极、电加热组件自身温度低于熔点，以保障良好的性能。

因此，本实用新型具有安装调节方便、密封性能好的有益效果。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。

图2为电极与电极固定板的连接示意图。

图3为图2中a处局部放大示意图。

图中：电极固定板1、电极2、外螺纹20、导流孔21、电极孔3、绝缘衬套4、支撑凸环40、调节螺母5、密封圈6、绝缘支撑环7、电加热组件8、介质通道80、管接头9、密封连接套10、螺纹锁紧套11、绝缘隔离套12、绝缘支撑套13。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述：

如图1、图2和图3所示的一种电极密封调节机构，包括电极固定板1、两根电极2，电极固定板1上设有两个电极孔3，两个电极一一对应插入电极孔内，电极孔3的两端设有套设在电极外侧的绝缘衬套4，绝缘衬套4的一端延伸形成伸入电极孔内的支撑凸环40，电极2上与两个绝缘衬套的对应处设有两段外螺纹20，外螺纹20上设有调节螺母5；电极与电极孔之间形成环形间隙，环形间隙内设有密封圈6，密封圈6有两道，两道密封圈6之间设有绝缘支撑环7，两个电极2的内端之间连接有电加热组件8。

电极2的中心设有导流孔21，电加热组件8内设有介质通道80，电极2的外端设有与导流孔连通的管接头9，电极的内端通过密封连接套10、螺纹锁紧套11与电加热组件8内的介质通道连通；两个电极2的内端外部均套设有绝缘隔离套12，绝缘隔离套12的内壁与电极的外侧之间设有绝缘支撑套13，绝缘隔离套由石英制成。

结合附图，本实用新型的原理如下：安装时，先将电极插入电极孔内，再把电加热组件与炉体之间的位置调节好，最后装入密封圈、绝缘衬套后通过锁紧螺母锁紧，电极可以在电极孔内前后微调以调节电加热组件在炉体内的位置；绝缘衬套保障电极与电极固定板之间的绝缘性，密封圈保持电极固定板两侧（炉体内部与外部）的密封性。

以上仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的技术特征并不局限于此。任何以本实用新型为基础，为解决基本相同的技术问题，实现基本相同的技术效果，所作出的简单变化、等同替换或者修饰等，皆涵盖于本实用新型的保护范围之中。

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