本发明涉及碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法。背景技术：使用了碳化硅的半导体装置能够实现功率损耗的大幅降低、半导体装置的小型化，能够实现功率变换时的节能化。因此，在

• 感应加热
• 外延生长
• 保持器
• 载流子

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本发明涉及霍尔效应试验领域，特别涉及一种新型霍尔效应实验仪。背景技术：霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导

• 霍尔效应
• 导轨
• 载流子

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