本发明公开了一种水基流延成型高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法，属于流延成型工艺技术领域。背景技术：氮化铝(aln)陶瓷具有高的热导率(接近碳化硅和氧化铍，是氧化铝的5-10倍)、

• 陶瓷
• 氧化铝
• 陶瓷基板

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本发明涉及一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法，具体涉及一种高热导率、高强度的氮化硅陶瓷材料及其制备方法，属于无机非金属材料领域。背景技术：氮化硅(si3n

• 氮化硅
• 陶瓷基板
• 烧结工艺

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本发明涉及一种在基板的表面形成刻划线的刻划头以及使用该刻划头的刻划装置。背景技术：在玻璃基板等脆性材料基板的分割中，可使用具有刻划头的刻划装置。脆性材料基板的分割工序由以下的工

• 轴承
• 陶瓷基板

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本发明涉及一种氧化锆复合氧化铝(zta)陶瓷烧结体及其制备方法和应用，属于氧化铝陶瓷技术领域：。背景技术：：zta，即zirconiatoughenedalumina，是一种以

• 氧化铝陶瓷
• 陶瓷
• 氧化铝
• 弯曲强度
• 陶瓷基板

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本发明属于陶瓷基板材料技术领域，具体涉及一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法。背景技术：功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。

• 陶瓷
• 氮化硅
• 陶瓷基板
• 无水乙醇
• 激光烧结

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本发明涉及陶瓷材料领域，具体而言，涉及一种高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法、一种用于高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法的成型装置以及一种高纯氧化铝陶瓷基板。背景技术：氧化铝陶瓷作为基础陶

• 氧化铝陶瓷
• 陶瓷
• 陶瓷基板
• 陶瓷行业

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本发明涉及一种玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。详细而言，涉及用于各种模块基板、半导体元件收纳用封装等的玻璃陶瓷烧结体及配线基板。背景技术：目前，第五代移动通信系统(下称为5g

• 透辉石
• 玻璃陶瓷
• 介电损耗
• 陶瓷基板
• 氧化铝

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本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种ltcc材料、基板及制备方法。背景技术：：ltcf(lowtemperatureco-firedferrite)材料是指低温共烧

• 玻璃陶瓷
• 烧结工艺
• 陶瓷基板

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[0001]本发明涉及导热材料技术领域，特别是涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法、陶瓷材料及导热基板。背景技术：[0002]随着电子技术的迅猛发展，超大规模集成电路的应用对电子封

• 氮化硅
• 硅酸镁
• 混合结构
• 陶瓷基板
• 烧结工艺

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[0001]本发明属于电子信息覆铜板领域，具体涉及一种覆铜板基板成型方法。背景技术：[0002]随着电子信息产品不断的发展，传统的覆铜板基板已经无法满足市场高频高速的要求。而聚

• 陶瓷基板
• 陶瓷
• 氨基磺酸

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