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本发明涉及半导体性富集单壁碳纳米管薄膜制备领域,具体为一种原位刻蚀制备单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的方法。背景技术:薄膜晶体管是构成宏观电子器件的基本单元,同时具备高
本发明涉及半导体性单壁碳纳米管液相分离领域,具体为一种大直径半导体性单壁碳纳米管的聚合物辅助分离方法。背景技术:碳纳米管可以看做是由二维石墨烯片卷曲而成的中空管状结构,其独特的
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