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一种碳化硅晶体取下装置的制作方法
2021-01-30本发明涉及碳化硅生产领域，具体为一种碳化硅晶体取下装置。背景技术：碳化硅(sic)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，可以制作
强化剩余污泥释放氮磷及生物炭诱导制备鸟粪石的方法与流程
2021-01-30本发明涉及一种强化剩余污泥释放氮磷及生物炭诱导制备鸟粪石的方法。背景技术：磷是组成生命物质不可缺少且不能替代的元素之一，没有磷元素，农作物生长受到影响。磷是地球上一种不可自然再
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉发热体的制作方法
2021-01-30[0001]本实用新型涉及泡生法蓝宝石晶体生长技术领域，尤其是涉及一种泡生法蓝宝石晶体生长炉发热体。背景技术：[0002]现有的泡生法蓝宝石晶体生长炉发热体底部的排列包括六组钨
一种无机化合物晶体、其制备方法及应用与流程
2021-01-30[0001]本申请涉及一种无机晶体材料、其制备方法及其应用，属于无机材料领域。背景技术：[0002]非线性光学晶体是一类广泛应用于光电技术领域的功能材料，可以实现激光频率转换、
一种采用复合助熔剂生长钇铁石榴石晶体的方法与流程
2021-01-30[0001]本发明涉及晶体生长的技术领域，具体涉及到一种采用复合助熔剂生长钇铁石榴石晶体的方法。背景技术：[0002]钇铁石榴石晶体是一种具有优异的微波、磁光以及磁性的石榴石结
一种晶体生长坩埚的制作方法
2021-01-30[0001]本实用新型涉及坩埚技术领域，具体涉及一种晶体生长坩埚。背景技术：[0002]在坩埚下降法生长晶体时，尤其是各种卤化物晶体比如氟化钙、氟化钡、氟化铅、氟化锂、碘化铯、
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