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本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体是磁性薄膜材料技术领域,涉及一种嵌入多纳米片的碲化铬薄膜、其制备方法及应用。背景技术:随着科学技术的发展和社会的进步,具有高tc的垂直磁各向
本发明涉及霍尔效应试验领域,特别涉及一种新型霍尔效应实验仪。背景技术:霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导
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