本实用新型涉及硅片制造的技术领域，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积处理的加热装置。背景技术：硅片在太阳能电池生产、半导体设备制造等诸多领域均具有广泛的应用前景。采用等离子增强

• 铝板
• 化学气相沉积
• 支撑座
• 间隙配合

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[0001]本发明涉及属于材料领域，具体涉及一种石墨烯玻璃及其制备方法。背景技术：[0002]石墨烯玻璃是一种将石墨烯与玻璃结合起来的新型复合材料，它不仅具有良好的透光性，也具

• 石墨
• 化学气相沉积
• 前驱体

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一种化学气相沉积cvd粉料前驱体输送装置技术领域[0001]本发明属于化学气相沉积工艺领域，涉及一种化学气相沉积cvd粉料前驱体输送装置。背景技术：[0002]化学气相沉积(c

• 化学气相沉积
• 前驱体
• 加热管

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用于均匀气体分配的化学气相沉积喷头相关申请的交叉引用[0001]本申请要求于2018年6月12日申请的美国专利申请no.16/006,591的优先权。其通过引用合并于此以用于所

• 化学气相沉积
• 气体压强

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[0001]本发明涉及晶体制膜技术领域，具体为一种化学气相沉积法制备薄膜装置。背景技术：[0002]化学气相沉积法指的是把构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助

• 化学气相沉积
• 气相沉积法
• 磁铁

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[0001]本实用新型涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备。背景技术：[0002]等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemi

• 化学气相沉积
• 低温等离子体
• 等离子
• 陶瓷基板

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