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[0001]本发明属于陶瓷材料制备技术领域,具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛(si3n4/tic)陶瓷材料制备方法、该方法制备得到的si3n4/tic陶瓷材料及应
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