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【技术领域】本发明属于集成电路领域,尤其涉及一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法。背景技术:二氧化硅薄膜由于很容易通过硅衬底氧化得到,且具有良好的化学、机械、介电性能和
一种改进型ald镀膜机技术领域[0001]本实用新型属于原子层镀膜领域,具体是一种改进型ald镀膜机。背景技术:[0002]目前空间ald(atomiclayerdeposit
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